【導讀】AI算力需求呈現爆炸式增長，海量數據頻繁調動使得存儲行業變得愈發重要。生成式AI、AI智能體、端側AI應用，高性能、高密度、高能效的存儲解決方案都構成了不可或缺的硬件基礎。這些技術正助力解決數據中心、AI訓練推理以及移動設備在數據存儲與訪問方面的瓶頸問題。在眾多存儲技術發展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術為整個行業提供了堅實支撐，成為高性能存儲領域的關鍵角色。
從2D到3D：閃存技術的革命性跨越
作為閃存技術的發明者，鎧俠始終秉承Bit Cost Scalable Flash理念。當2D NAND技術遭遇容量提升瓶頸后，BiCS FLASH創造性地轉向垂直方向堆疊存儲單元。這項技術通過巧妙的交替堆疊板狀電極和絕緣體，一次性垂直打孔穿透存儲層，并在孔內填充電荷儲存膜和柱狀電極，從而構建起當前主流的3D NAND架構。更重要的是，BiCS FLASH的技術迭代從未停止，持續推動著存儲技術的邊界。
性能與密度兼得：第八代BiCS FLASH的技術突破
已成為行業主流的第八代BiCS FLASH現已廣泛應用于各類存儲產品中，從移動設備和車載系統的UFS系列，到消費級SSD，再到企業級和數據中心級存儲方案，都能看到它的身影。
第八代BiCS FLASH在存儲密度和性能方面均有顯著提升，其中2Tb QLC NAND是目前業界最大容量的存儲器。為實現這一突破，鎧俠通過專有工藝和創新架構，平衡了存儲芯片的縱向和橫向縮放，開發的CBA架構和3.6Gbps接口速度，為AI應用、數據中心和移動設備開辟了更多可能性。
CBA架構與傳統單晶圓制造CMOS邏輯電路與存儲單元的方式截然不同，它采用兩片分別制造后再翻轉貼合的方式，使不同工藝都能發揮更大優勢，同時縮短生產時間。得益于存儲單元和CMOS邏輯電路都有了更充裕的設計空間，第八代BiCS FLASH實現了存儲密度與性能的雙重提升：寫入性能提高20%，讀取速度提高10%，耗電量減少30%（寫入時），接口速度達到3.6 Gbps，表現優于同級別產品。
第八代BiCS FLASH QLC創造了業界最大的2Tb規格，當單個封裝內堆疊32個Die時，可實現領先的8TB容量。多個存儲芯片組合，更能構建出256TB的企業級SSD，剔除OP空間后存儲容量仍達245.76TB。鎧俠LC9 245.76TB企業級SSD就是典型代表，目前已與部分數據中心展開合作，加速AI數據中心高效能部署，同時降低總體擁有成本。
雙軌并行戰略：為AI未來加碼
在第八代BiCS FLASH成為行業中流砥柱的同時，第九代和第十代BiCS FLASH也已蓄勢待發，形成雙軌并行的發展策略。
第九代BiCS FLASH專注于利用CBA技術，在現有存儲單元技術基礎上推出更具成本優勢的產品。通過集成最新的CBA技術和Toggle DDR 6.0接口，第九代BiCS FLASH實現了顯著的性能與能效提升，能夠為主流企業級SSD、邊緣計算和AI應用提供均衡的解決方案。
第十代BiCS FLASH則進一步將存儲陣列堆疊層數大幅提升至332層，同樣采用Toggle DDR6.0接口和SCA獨立命令地址協議，將NAND接口速度提升至4.8Gbps，以滿足未來AI訓練、科學計算等超大規模數據中心對存儲帶寬和容量的極致需求，同時有助于降低超大容量SSD的制造復雜度和成本。
除了主流的BiCS FLASH技術，鎧俠還在探索XL-FLASH存儲級內存和OCTRAM等新型存儲技術，為未來計算架構做好充分準備。
最后，面對AI時代的數據洪流，存儲技術的創新步伐正在加快。鎧俠通過持續的技術迭代，不斷追求更高的存儲密度，與各行業客戶緊密合作，進一步降低TCO，提升能效表現，為邁向更高存儲密度的目標奠定堅實基礎。隨著BiCS FLASH技術的持續進化，云端與端側應用將獲得更優質的存儲解決方案，為全面智能化時代提供強有力的數據支撐。
