【導(dǎo)讀】2015年3月2日，英飛凌科技宣布發(fā)布高堅(jiān)固性650V IGBT系列，該系列能夠使應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)的運(yùn)用達(dá)到最高效率。該系列TRENCHSTOP™5 AUTO IGBT符合AEC-Q 標(biāo)準(zhǔn)，可降低諸如車載充電、功率因數(shù)校正（PFC）、直流/直流和直流/交流轉(zhuǎn)換等電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）應(yīng)用的功率損耗并提高其可靠性。
全新IGBT系列阻斷電壓比前代汽車級(jí)IGBT高50V，此外，得益于英飛凌TRENCHSTOP™ 5薄晶圓技術(shù)，該系列產(chǎn)品達(dá)到同類最佳效率。與現(xiàn)有的尖端技術(shù)相比，全新IGBT的飽和電壓（VCE(sat)）降低了200mV，開關(guān)損耗減半，并且柵極電荷降低2.5倍。同時(shí)，由于開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗雙雙降低，與替代技術(shù)相比，全新IGBT系列在相同的應(yīng)用中結(jié)溫和外殼溫度更低。這不僅提高了器件的可靠性，而且最大程度降低了冷卻需求。
通過使用TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT，電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)師可實(shí)現(xiàn)器件效率提升所帶來的額外優(yōu)勢(shì)，即能夠延長(zhǎng)續(xù)航里程或縮小電池尺寸。對(duì)混合動(dòng)力汽車來說，效率提高意味著降低總?cè)加拖暮蜏p少二氧化碳排放。另外，TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT器件的卓越性能使得其能進(jìn)入目前主要采用MOSFET技術(shù)的應(yīng)用，并為設(shè)計(jì)師提供基于不同半導(dǎo)體芯片技術(shù)的廣泛選擇。
TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT系列器件的額定電流為40A或50A，有單一分立式IGBT和可與英飛凌超快“Rapid”硅二極管共同封裝的IGBT兩種產(chǎn)品。對(duì)于這兩種產(chǎn)品中的任何一種，英飛凌均能提供H5 HighSpeed和F5 HighSpeed FAST兩個(gè)系列產(chǎn)品，這取決于優(yōu)化開關(guān)速度和實(shí)現(xiàn)最高效率是否為首要設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。
對(duì)用于車載充電器的典型PFC電路來說，以TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT替代當(dāng)前尖端技術(shù)已經(jīng)表明效率從97.5%提升至97.9%。如果是3.3kW 充電器，這相當(dāng)于功率損失降低13W。假設(shè)充電時(shí)間為5小時(shí)，這相當(dāng)于每個(gè)充電周期二氧化碳排放減少30g。
