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利用TOLL封裝GaN如何打破太陽能轉換效率天花板
在綠色能源浪潮席卷全球的當下，太陽能系統正以勢不可擋的態勢蓬勃發展，成為能源轉型的關鍵力量。而在這一蓬勃發展的進程中，光伏逆變器宛如系統的“心臟”，其性能的優劣直接關乎著太陽能能否被高效地“馴服”與利用。因此，如何設計出性能卓越的光伏逆變器，以最大化地汲取太陽能的能量，成為了技術創新的核心焦點。
2025-12-19
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TOLL 封裝賦能 GaN 器件：高壓電源轉換領域的性能突破與設計要點
太陽能發電系統的發展持續攀升，而光伏逆變器的性能表現，正成為行業技術的核心。這類設備的核心設計目標，盡可能利用太陽能資源。在眾多技術突破中，氮化鎵（GaN）材料的應用堪稱關鍵創新。當下，氮化鎵正加速替代傳統的硅（Si）基器件及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）系統，成為光伏逆變器領域的新一代核心元件。
2025-12-11
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測試技術革命：函數發生器與電源融合打造超級測試平臺
在電子測試領域，函數發生器與直流電源的深度融合正引發測試方法的革命性變革。這種創新組合不僅顯著提升了測試效率和精度，更為工程師提供了模擬復雜真實場景的強大能力，從太陽能逆變器驗證到電池系統測試，展現出前所未有的應用潛力。
2025-11-16
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SiC功率模塊的“未病先防”：精確高溫檢測如何實現車載逆變器主動熱管理
碳化硅（SiC）功率模塊正推動電動汽車革命，其高頻、高壓和耐高溫（結溫可超200°C） 的特性，對溫度檢測的精確性提出了前所未有的挑戰。精確的結溫監測，是釋放SiC性能潛力、保障模塊可靠運行的關鍵。
2025-11-03
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安森美光伏方案剖析：助力逆變器能效全面升級
隨著全球能源轉型加速，太陽能逆變器技術正經歷革命性變革。目前市場主流組串式逆變器憑借其卓越的靈活性和安裝便捷性，已成為光伏系統的核心選擇。安森美作為功率半導體領域的領導者，通過創新的器件設計和系統級優化，持續推動逆變器功率密度提升與成本下降。其解決方案不僅大幅提升了能量轉換效率，更為住宅、商業和公用事業等不同應用場景提供了量身定制的技術路徑，助力光伏產業實現更高水平的能源利用效率。
2025-09-08
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光伏電流檢測技術革命：TI封裝內霍爾傳感器如何重塑太陽能系統效能？
在光伏系統邁向智能化與高效化的進程中，德州儀器(TI)最新推出的TMCS112x/113x系列封裝內霍爾效應電流傳感器正引發行業變革。這款集成度極高的解決方案以±0.5%的測量精度、-40°C至125°C的寬溫穩定性，以及3.5mm×4mm的超緊湊尺寸，正在替代傳統的穿孔式傳感器，為從微型逆變器到兆瓦級光伏電站的全場景電流檢測樹立新標準。
2025-08-08
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安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
安森美（onsemi）與驅動技術領軍企業舍弗勒（Schaeffler）進一步深化技術合作，雙方在最新中標項目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET產品系列。該方案將應用于舍弗勒主驅逆變器，為全球知名汽車制造商的先進插電式混合動力電動汽車（PHEV）平臺提供核心動力支持。此次合作標志著碳化硅技術在新能源車載系統中的關鍵落地，助力PHEV性能與能效雙重升級。
2025-08-01
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從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設計的關鍵要點與性能優勢解析
隨著全球對能源可持續性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統需求持續攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考。
2025-07-16
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安規電容技術全景圖：從安全設計到國產替代突圍
安規電容作為電子系統的安全防線，以金屬化聚丙烯薄膜或陶瓷介質為核心，確保失效時絕不引發觸電風險。隨著新能源汽車800V平臺普及，新一代安規電容正向1000V耐壓與集成化濾波演進，為光伏逆變器、EV充電樁等高危場景筑牢電氣安全基座。
2025-07-10
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200kHz開關頻率破局！Wolfspeed聯合恩智浦推出牽引逆變器解決續航焦慮
Wolfspeed與恩智浦（NXP）聯合推出業界首款經過全面驗證的800V牽引逆變器參考設計，為電動汽車行業注入關鍵技術動能。面對汽車行業加速向零排放轉型的需求，該設計通過集成動態柵極強度調節技術與碳化硅（SiC）功率模塊，直擊效率提升、功能安全及長期可靠性三大核心痛點，助力車企快速開發出性能媲美甚至超越燃油車的差異化電動車型。
2025-07-09
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破局電動車續航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
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不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰有何差異？
氮化鎵（GaN）器件因其高開關頻率、低導通損耗的特性，正在快速滲透消費電子、汽車電驅和數據中心等領域。然而，不同拓撲結構對GaN器件的需求呈現顯著差異：例如快充領域的LLC諧振拓撲需要高頻率下的電磁干擾控制，而車載雙向逆變器更關注動態電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓撲、雙向逆變拓撲、多電平拓撲及汽車主驅模塊中的氮化鎵技術痛點，揭示材料特性與系統設計間的矛盾性關系。
2025-06-10
- 強強聯手！貿澤電子攜手ATI，為自動化產線注入核心部件
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