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繼電器的特性、選型和使用注意事項
繼電器屬于一種微電控制器件，在電路中起著自動調(diào)節(jié)安全保護轉(zhuǎn)換電路等作用。本文將重點介紹繼電器的特性和類型、選型方法和使用注意事項，此外，還介紹了國內(nèi)表達繼電器的符號和觸點方法。
2012-02-14
繼電器 電磁式繼電器 熱敏干簧繼電器 固態(tài)繼電器 SSR
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腐蝕傳感器技術(shù)革新 創(chuàng)新產(chǎn)品市場適應(yīng)力更強
如今各行各業(yè)中傳感器應(yīng)用已經(jīng)越來越多，各種技術(shù)問題也提上日程，腐蝕傳感器由于壽命問題一直是行業(yè)發(fā)展的阻礙，此次英國研發(fā)抗腐蝕傳感器的技術(shù)革新成功，正彌補了腐蝕傳感器壽命短的問題，這一創(chuàng)新產(chǎn)品將擁有更強的市場適應(yīng)能力，引領(lǐng)未來市場導(dǎo)向。
2012-02-14
腐蝕 傳感器
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電動汽車充電電池性能退化原因何在
電池的性能退化一方面是使用和老化的自然結(jié)果，另一方面則由于缺乏維護、苛刻的使用環(huán)境以及不良的充電操作等等加速其劣化。下面將探討充電電池各種難以克服的問題、其原因及彌補這些問題的方法。
2012-02-14
電動汽車 充電電池
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第五講：專家解答電路保護設(shè)計的常見問題
本文整理工程師在電路保護設(shè)計中經(jīng)常遇到的一些問題，精選出關(guān)于保險絲、防雷器件和ESD保護器件的選型及應(yīng)用的問題，由資深電路保護設(shè)計專家給予專業(yè)權(quán)威的解答，旨在幫助工程師正確選擇和使用電路保護器件，設(shè)計高可靠性的電路保護解決方案。
2012-02-13
電路保護 保險絲 熔斷器 防雷 ESD
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HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級8英寸0.18μm Trench工藝
2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級已經(jīng)過一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機效率，同時獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國內(nèi)一線分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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晶閘管在高壓軟起動中的選型及應(yīng)用
晶閘管電機軟起動器的出現(xiàn)，彌補了傳統(tǒng)軟起動器的各種不足，很好地降低了電機的起動電流，降低了配電容量，延長了電機及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動參數(shù)可視負載調(diào)整，易于維護。本文介紹晶閘管電機軟起動器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護設(shè)計。
2012-02-13
晶閘管 電機 軟起動 過壓 過流
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線性穩(wěn)壓器的短路保護電路設(shè)計
一個高可靠性的線性穩(wěn)壓器通常需要有限流保護電路，以防止因負載短路或者過載對穩(wěn)壓器造成永久性的損壞。在限流型保護電路的基礎(chǔ)上，設(shè)計改進了一個短路保護電路，確保短路情況下，關(guān)斷功率MOS管。本文分別定性和定量地分析了這種短路保護電路的工作過程和原理，同時給出基于TSMCO．18μm CMOS工藝的...
2012-02-13
線性穩(wěn)壓器 限流保護電路 短路保護 短路保護電路
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集成電路對EMI控制的影響
在考慮EMI控制時，設(shè)計工程師及PCB板級設(shè)計工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對EMI控制的影響。
2012-02-13
集成電路 IC EMI 電磁干擾
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液晶顯示模塊設(shè)計中應(yīng)注意的幾個問題
為LCD配置了驅(qū)動電路，就形成了液晶顯示模塊LCM(Liquid Crystal Module)。它的基本組成部件除了LCD、驅(qū)動電路外一般還有連接件、背光源等。液晶顯示模塊同一個系統(tǒng)中的其他電路一樣，有簡單的接口，并提供了豐富的控制顯示的指令系統(tǒng)。為整機的開發(fā)節(jié)約了時間。下面討論LCM設(shè)計中的應(yīng)注意的幾個問題...
2012-02-10
液晶顯示模塊 LCD LCM 對比度 背光源
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