雖然是單芯片產品，但發熱量更低，與以往產品相比，供電時的溫升可降低約75%，縮減貼裝面積的同時實現了低發熱。不僅如此，搭載了業界首創的位置偏差檢測功能，可檢測位置偏差時的充電效率下降情況，因此，有助于提高設備的工作效率。
本產品計劃于2013年11月開始出售樣品（樣品價格500日元），于2014年2月開始暫以月產50萬個的規模投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本浜松市），后期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣）。
在移動設備市場，無線供電技術在為終端充電時無需使用電源線，有望提高設備連接器的防水及防塵性能，1個供電裝置即可支持多種終端，因而備受關注。
但是，該技術卻面臨一個巨大的課題，即通過無線收發智能手機等5W級別的電力時會嚴重發熱。
特點
1.單芯片，低發熱
采用最先進的BiC-DMOS工藝，成功將MOSFET的導通電阻降到最低，雖為單芯片，發熱量卻更低，實現縮減貼裝面積與低發熱兩者兼得。與以往產品相比，供電時的溫升程度可降低約75%。
2.搭載業界首創的位置偏差檢測功能，充電效率更高
給終端充電時，如果不將終端設備置于供電裝置的中央，充電效率就會顯著下降。位置偏差檢測功能對于終端的位置偏差，可發出警報提示，有助于進一步提高充電效率。
WPC Qi標準 Low Power Ver1.1
最新的WPC Qi標準Low Power Ver1.1作為無線供電的國際標準于2012年4月制定完成。
與2010年最初制定的Low Power Ver1.0的不同之處在于，Ver1.1更關注安全性能的提升，新增了搭載FOD（異物檢測功能）的義務要求。
ROHM已加盟成為最多由25家組成的WPC的正式成員，從日益普及的無線供電標準“Qi”的制定階段就開始積極參與協商制定。
以極高安全性著稱的FOD（Foreign Object Detection /異物檢測功能）
FOD是最新的Qi標準所規定的有義務搭載的項目，金屬物體存在于收發器之間時，金屬發熱可能導致機殼變形或燒傷，搭載FOD可防患于未然，使設備安全性能顯著提高。
要想實現FOD，需要發送側與接收側復雜的對接技術，ROHM通過融合本公司的模擬技術與集團公司LAPIS Semiconductor的數字技術，使FOD得以實現。
實際上，接收側進行功率損耗計算時，可通過外置電阻設定每個接收單元不同損耗誤差的微調量，因此，實現了極具靈活性且高精度的FOD。
＜Qi標準的普及和開發路線圖＞
隨著無線供電市場的增長，Qi標準所支持的功率范圍也日趨增大。
針對Qi標準的日益普及，ROHM計劃充分發揮所擁有的集團內部的無線供電所必需的核心技術，進行數據發送用控制IC與市場日益增長的Medium Power（5W～）產品的開發。
支持Medium Power的無線供電用IC將于深圳會展中心舉行的“第十五屆中國國際高新技術成果交易會（ELEXCON2013）”ROHM展區展出（展位號：2號館2B62）。歡迎蒞臨！
WPC（Wireless Power Consortium）
為制定與普及電子設備的無線供電技術相關的國際標準 “Qi”而設立的行業團體。
Qi標準
WPC提倡的正在日益普及的無線供電標準。目前，面向智能手機等小型移動設備的Low Power（～5W）標準為主要標準，為滿足日益增長的市場需求，現正著力制定Medium Power（5W～）標準。
導通電阻
MOSFET工作時（通電時）的電阻值。其值越小功率損耗越少。
