【導讀】在電子設備中存在著各種各樣的干擾，量化射頻干擾就是其中的一種。量化射頻干擾能夠直接對線性電路產(chǎn)生影響。本文在設計典型精密運算放大器時，考慮到諸多因素，尤其是電磁干擾抑制比和運算放大器的選擇就是一大難題。
典型的精密運算放大（運放）器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶可能期望千兆赫水平的RF信號衰減到非常低的水平，因為它們遠遠超出了放大器的帶寬范圍。然而，實際情況并非如此。事實上，包含在放大器內(nèi)的靜電放電（ESD）二極管、輸入結(jié)構(gòu)和其它非線性元件會在放大器的輸入端對RF信號進行“整流”。在實際意義上，RF信號被轉(zhuǎn)換成一種直流（DC）偏移電壓，這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。
用戶也許會問：“對于由給定RF信號產(chǎn)生的DC偏移電壓，我如何確定其幅度？”其實，放大器對RF干擾的敏感性取決于該放大器所采用的設計和技術(shù)。例如，許多現(xiàn)代放大器具有內(nèi)置的RF濾波器，可盡量減少出現(xiàn)該問題的幾率。該濾波器對低增益帶寬運放而言是最有效的，因為該濾波器的截止頻率可以設置成較低的頻率，這能提供更高的RF信號衰減系數(shù)。除此之外，一些技術(shù)產(chǎn)品具有更強的內(nèi)在抗RF干擾能力。例如，比起雙極型器件，大多數(shù)互補金屬氧化物半導體（CMOS）器件具有更強的抗RF干擾能力。輸入級設計等其它因素也可影響抗RF干擾能力。
考慮到所有這些因素，電路板和系統(tǒng)級設計人員應如何選擇放大器呢？答案是：要看電磁干擾抑制比（EMIRR）。該技術(shù)指標類似于電源抑制比和共模抑制比，因為它在放大器的輸入端將RF干擾的影響轉(zhuǎn)換成DC偏移電壓。作為一個例子，圖1展示了OPA333的EMIRR曲線。從曲線可注意到，當頻率為1000MHz時該運放具有120dB的EMIRR。這是非常高的抑制水平，使得直接把該曲線與其它器件的曲線進行比較成為可能。
使用OPA333時EMIRRIN+與頻率相比較的例子
EMIRR曲線展示了運放被傳導的抗RF信號（該信號被應用到非反相輸入端）干擾能力的測定值。術(shù)語“被傳導”是指該RF信號被直接應用到使用阻抗匹配型印刷電路板（PCB）的運放輸入端。此外，還對放大器輸入端的反射進行了表征和說明。
最后，用數(shù)字萬用表測量由RF信號產(chǎn)生的DC偏移電壓。請注意，在放大器和萬用表之間使用了低通濾波器，以防止由穿過放大器的殘余RF信號引起的潛在錯誤。圖2展示了用于表征EMIRR的測試電路。
方程式（1）和（2）給出了EMIRR的數(shù)學定義。兩個方程式互為彼此的重置版本。方程式（1）展示了所用RF信號和偏移電壓的改變之間的關系。請注意所用RF信號的平方引起的偏移電壓變化。這意味著入射RF信號較小幅度的增加可導致偏移電壓的顯著增加。還請注意，術(shù)語EMIRR的作用是減弱RF信號的影響；換句話說，較大的EMIRR（dB）可使偏移電壓的變化大幅度減少。方程式（2）是在表征過程中用來計算EMIRR（dB）的方程形式。
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