【導讀】數字 IC 的封裝選項（以及相關的流行詞和首字母縮略詞）繼續成倍增加。微處理器、現場可編程門陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級數字 IC 以多種封裝形式提供。
數字 IC 的封裝選項（以及相關的流行詞和首字母縮略詞）繼續成倍增加。微處理器、現場可編程門陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級數字 IC 以多種封裝形式提供，例如：QFN——四方扁平無引線； FBGA——細間距球柵陣列； WLCSP——晶圓級封裝； FOWLP——扇出晶圓級封裝； fcCSP——倒裝芯片級封裝；和 FCBGA——倒裝芯片球柵陣列封裝。
先進半導體器件的封裝類型和市場用途。 （表：格羅方德）
將多個芯片封裝在一起的選項包括系統級封裝、多芯片模塊、芯片級、小芯片、異構、2.5D 和 3D 堆疊等。正在開發的多芯片量子處理器可以解決容錯量子計算機的關鍵擴展挑戰。共同封裝光學器件 (CPO) 或封裝光學器件 (IPO) 正在出現，它們將光學器件和開關硅集成在同一封裝中，從而在曾經不相交和獨立的技術之間產生協同作用，并節省大量功率。
多芯片封裝技術的演進。（圖片：Cadence 設計系統）
小芯片、MCM 和 SiP
基于小芯片（Chiplet）的設計、多芯片模塊 (MCM) 和系統級封裝 (SiP) 是或可以是異構集成的形式，在定義這三種封裝風格時存在非常大的灰色區域。一家公司的基于小芯片的設計可能被另一家供應商稱為 MCM，而 MCM 和 SiP 通常被歸為同一類別。下面回顧了一些細微差別。
小芯片是經過測試的 IP 功能的物理實現，具有在硅晶片上制造的標準通信接口，可通過提高制造產量和跨應用程序的可重用性來降低成本。給定解決方案中的小芯片可以具有不同的工藝節點。小芯片提供標準功能，使設計人員能夠專注于設計中的獨特 IP。結果被稱為“偽 SoC”，其設計速度比完全集成的 SoC 解決方案更快、成本更低。基于小芯片的解決方案通常不包括無源設備或其他“非硅”設備。小芯片解決方案的一個例子可以是當今的一些微處理器，其中處理器內核和 I/O 駐留在通用封裝中的不同硅芯片上。
MCM 最初僅集成多個芯片，不包括無源器件或其他組件。 MCM 中的芯片是“完整”的 IC，例如處理器、GPU 和 RF 部分，而不是更簡單的單功能小芯片。隨著概念的發展，MCM 的尺寸越來越大并集成了額外的組件，于是 SiP 誕生了。 MCM 和 SiP 之間的主要區別在于 MCM 不必是一個完整的系統。根據定義，SiP 是單個封裝中的系統。
MCM 是封裝中緊密耦合的子系統或模塊。 SiP將多個 IC 以及支持的無源器件集成到單個封裝中。與 MCM 一樣，SiP 可以使用來自最佳單個工藝或工藝節點的硅來優化性能并實現所需的集成。SiP 被設計為一個完整的系統并用作單個組件。
系統級封裝 (SiP)，有時稱為多芯片模塊 (MCM)，將多個 IC 和無源器件集成到單個封裝中。 （圖片：Octavo 系統）
2.5D 和 3D 封裝
使用硅通孔 (TSV) 互連多個管芯通常被認為是 MCM 或 SiP 與 2.5D 封裝器件之間的區別。 TSV 為 MCM 和 SiP 中的有機基板提供了高密度替代品。使用 TSV 可以獲得 3D 封裝的一些好處，而沒有與全 3D 方法相關的挑戰和成本。簡而言之，與傳統的 MCM 或 SiP 解決方案相比，將多個管芯放置在具有非常細間距 TSV 的中介層上會產生互連和更好的重量、尺寸和功率特性。
全3D IC則是更進一步，使用 TSV 在垂直維度上堆疊。它可以產生更小和更高性能的解決方案。 3D 封裝是另一種形式的垂直集成，指的是使用引線鍵合和倒裝芯片等互連方法進行 3D 集成。 3D 封裝可分為 3D 系統級封裝 (3D SiP)、3D 晶圓級封裝 (3D WLP) 和 3D 層疊封裝 (3D PoP)。與 2.5D 封裝相比，各種形式的 3D 封裝都有一些缺點，包括：
通過將芯片并排放置而不是垂直堆疊可以提高散熱性能。
3D 結構本質上更復雜，修改或升級 2.5D 裝配通常更簡單、更快。升級 2.5D 器件就像使用新的中介層或用改進版本替換一個或多個芯片一樣簡單。
2D 封裝在封裝基板上的單個平面上安裝 2 個或更多裸片，2.5D 在裸片和封裝基板之間添加一個中介層，3D 堆疊則是在垂直維度進行集成。 （圖片：美國宇航局）
晶圓級和芯片級
使用晶圓級封裝 (WLP)，晶圓制造工藝擴展到包括晶圓切割之前的器件互連。大多數其他封裝首先進行晶圓切割，然后將單個管芯放入塑料封裝中并連接焊料凸點。 WLP 在切割晶圓之前將封裝的底部和頂部輸出層以及焊料凸塊連接到 IC。由于封裝與裸片的尺寸基本相同，因此 WLP 是芯片級封裝 (CSP) 技術的一種形式。
WLP 用于需要盡可能最小的解決方案的應用，例如智能手機。然而，WLP 的局限性在于，由于封裝尺寸非常小，可以支持的觸點數量有限。在高度復雜和緊湊的系統中，扇出晶圓級封裝 (FO-WLP) 增強了標準 WLP 以克服有限的 I/O 功能。
與傳統封裝相比，FO-WLP 可實現更小的封裝尺寸以及改進的散熱和電氣性能。盡管如此，FO-WLP 還是比 WLP 大，而且 FO-WLP 支持更多數量的觸點，但不會增加芯片尺寸。在 FO-WLP 中，首先切割晶圓，然后將芯片精確地重新定位在載體晶圓上，每個芯片周圍都有一個扇出區域。模具成型，然后添加焊球。
光學封裝
高速數字網絡（例如超大規模數據中心）中的序列化-反序列化 (SerDes) 功能通常涉及基于硅的通信鏈路和基于光的鏈路之間的接口。隨著光學引擎和開關硅之間的距離減小，通道插入損耗也隨之下降，從而節省了大量功率。最接近的間距是通過共同封裝光學器件 (CPO) 實現的，其中接口的兩側都在一個封裝中。
共同封裝的光學器件具有最短的互連距離和最大的節能效果。 （圖片：思科系統）
正在開發 CPO 的兩項工作是車載光學聯盟 (COBO) 和共同封裝光學聯合開發基金會 (CPO JDF)。COBO 已經創建了一個 CPO 工作組，專注于為 CPO 實施制定技術指南和標準。它由對在超大規模數據中心使用 CPO 感興趣的最終用戶和技術供應商組成。COBO 活動主要對 CPO 實施所需的遠程激光源和光學連接感興趣，預計它將與其他 CPO 標準化活動相輔相成。
Facebook 和微軟成立了CPO JDF，其主要考慮與 CPO 相關的系統集成問題有關。 CPO JDF 發布了一份產品需求文檔 (PRD)，描述了旨在提高網絡交換機密度和電源效率的 8x400G CPO 模塊。 PRD 要求使用 XSR（極短距離）接口。 XSR 針對封裝基板上的芯片到光學引擎 (D2OE) 接口和芯片到芯片 (D2D) 接口進行了優化，最大可達約 100 毫米 × 100 毫米。
基于XSR接口規范的3.2T CPO模塊組裝。 （圖片：車載光學聯盟）
16 個 XSR CPO 模塊將用于構建低功耗 51.2Tb/s 交換機。 PRD 定義了 CPO 模塊的兩種變體，一種支持 400GBASE-FR4（8 個 Tx/Rx 光纖對），一種支持 400GBASE-DR4（總共 32 個 Tx/Rx 光纖對）。
多芯片量子處理器
擴展量子計算機具有挑戰性。隨著量子處理器尺寸的增加，制造良率下降。實現糾錯量子計算需要大量的量子位（qubit）。正在努力將多個較小的芯片連接到一個大規模的量子處理器中。這種多芯片方法有望簡化大型量子處理器的創建，并支持該技術的可預測和加速擴展。
縮放是開發容錯量子計算機的關鍵。預計今年晚些時候將測試一個 80 量子位的系統。將多芯片模塊技術應用于量子處理器可以產生足夠大的系統來運行實際應用，包括所需的糾錯。
多芯片量子處理器。 （圖片：Rigetti Computing）
概括
數字 IC、光互連和量子處理器的封裝選擇越來越多。先進的封裝技術支持異構集成以及使用來自最佳單個工藝或工藝節點的 IC 來優化性能并實現所需的集成。持續的封裝開發對于實現從手機到超大規模數據中心的先進系統解決方案非常重要。
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