20V P通道器件- 采用 SO-8 封裝
- 低至1.9 m?的超低導通電阻
- 通過Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素
- 筆記本電腦
- 工業/通用系統
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業內最低的導通電阻。
新型 Si7137DP具有 1.9 m?（在 10 V 時）、2.5 m?（在 4.5 V 時）和 3.9 m?（在 2.5 V 時）的超低導通電阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而確保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗執行切換任務。
Si7137DP 將用作適配器開關，用于筆記本電腦及工業/通用系統中的負載切換應用。適配器開關（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導通狀態，消耗電流。Si7137DP 的低導通電阻能耗低，節省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。
對于使用 20V 器件足夠的應用，Si7137DP 令設計人員無須依賴 30V 功率 MOSFET，直到最近 30V 功率 MOSFET 才成為具有如此低導通電阻范圍的唯一 p 通道器件。最接近的同類 20V p 通道器件具有 12-V 以上的柵極至源極額定值，在 4.5V 柵極驅動時導通電阻為 14 mΩ，且沒有 10V 柵極至源極電壓的特點。在同類 30V 器件中，采用 SO-8 封裝尺寸的最低 p 通道導通電阻在 10V 及 4.5V 時分別為 3.5 m? 和 6.3 m?，約為 Si7137DP 的一倍。
Vishay 將在 2009 年發布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天發布的該器件 100% 通過Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素。
目前，新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供樣品，并已實現量產，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
