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新聞事件：

• Vishay功率MOSFET榮獲《電子技術應用》雜志“中國優秀電子產品”獎

事件影響：

• 功率MOSFET具有業內最低的導通電阻
• 低FOM減少開關應用中的損耗
• 器件的高效率使設計者提高系統的功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET? 榮獲專業媒體《電子技術應用》(AET)的“中國優秀電子產品”獎。

在采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝的60V器件中，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業內最低的導通電阻，以及60V器件中最低的導通電阻與柵極電荷乘積優值系數(FOM)。對于設計者，更低的MOSFET導通電阻使得傳導損耗更低，可減少功耗，尤其是在重負載條件下。低FOM減少了高頻和開關應用中的開關損耗，特別是在輕負載和待機模式下。器件的高效率使設計者能夠提高系統的功率密度，或同時在更綠色的設計方案中實現更低的能源損耗。

在兩個月的時間內，用戶通過在www.ChinaAET.com投票的方式選出了中國優秀電子產品獎的獲獎者。118款提名產品中有31款獲獎，SiR662DP榮獲分立元器件類的獎項。