- 頂端部直徑約8mm
- 100μm以下的測量分辨率
- 60MHz～2.5GHz可檢測頻率范圍
- 較高的靈敏度
- 適用于電子設備的EMC測量
- 天線附近的電場測量
- 開發高頻電路時的驗證作業
- 高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導體的運行狀態分析
日本Stack電子開發出了可準確測量微小電場分布狀態的光外差法光電效應電場探測器“LEO-Probe”。該產品采用日本信息通信研究機構（NICT）轉讓的技術開發，適用于電子設備的EMC測量、天線附近的電場測量、開發高頻電路時的驗證作業、高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導體的運行狀態分析等。
目前，無線通信的使用頻率日益增高，而且隨著以個人電腦為代表的電路運行速度的提高，越來越多的用戶希望能夠測量電磁場的強弱并了解其影響。人們通常采用以較小的金屬導體環形天線（Loop Antenna）等測量的方法，但這種方法存在想要測量的電磁場狀態會因金屬導體接近而發生改變的缺陷。
此次開發的探測器則不存在這種缺陷，其特點是，可在幾乎不影響測量電場的情況下，測量出微小電場的狀態。此次利用了對特殊結晶材料施加電場時結晶材料的光折射率會發生改變的光電（EO）效應，由于測量部分沒有使用金屬導體，因此可在幾乎不破壞電場的情況下進行測量。另外，還采用了可在結晶材料內部通過光學頻率轉換使其產生中間頻率的光外差技術，從而能以較低的頻率完成信號處理。能以較高的靈敏度穩定地檢測出高頻信號。
為了便于攜帶，探測器實現了頂端部直徑約8mm、不含光纖部的長度約65mm的外形尺寸。通過聚集導入結晶材料的光，實現了100μm以下的測量分辨率。
此次開發試制的機型具備60MHz～2.5GHz的可檢測頻率范圍。預計今后會將最高頻率擴大至數THz。該公司計劃在2009年度底之前改進該產品，使其能夠檢測出40GHz左右的高頻信號。
另外，Stack電子還計劃在11月25日～27日于日本太平洋橫濱會展中心舉行的“微波展2009”上展出此次的試制機。
