【導(dǎo)讀】ESD保護(hù)元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護(hù)所需要的面積。
在人們的日常工作生活中，靜電放電(ESD)現(xiàn)象可謂無處不在，瞬間產(chǎn)生的上升時間低于納秒(ns)、持續(xù)時間可達(dá)數(shù)百納秒且高達(dá)數(shù)十安培的電流，會對手機(jī)、筆記本電腦等電子系統(tǒng)造成損傷。
對于電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而言，如果沒有采取適當(dāng)?shù)腅SD保護(hù)措施，所設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品就會有遭到損傷的可能。因此，電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)重要課題便是確保使其能夠承受ESD的沖擊，并繼續(xù)正常工作。
ESD保護(hù)方法
為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護(hù)所需要的面積。安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太區(qū)市場營銷副總裁麥滿權(quán)指出：真正有效的ESD保護(hù)是不能完全集成到CMOS芯片之中的。
其次，也可以在物理電路設(shè)計(jì)方面下功夫，較敏感的電路元件應(yīng)該盡量遠(yuǎn)離通孔或接縫處，如果可能的話，線纜連接器的接地應(yīng)該要在系統(tǒng)信號引腳接觸前先連接到系統(tǒng)的接地，通過這樣的方式，線纜上所發(fā)生的放電事件就比較不會造成干擾或破壞。
此外，軟件也能夠?yàn)镋SD設(shè)計(jì)作出貢獻(xiàn)。系統(tǒng)連接的感測器比較容易受到ESD的沖擊，造成接口電路的鎖住情況，而能夠感測鎖住情況的軟件則可以用來重置接口電路且無須操作人員的接入。
不過，總是有部分電路點(diǎn)較為敏感，同時也很難與外部隔離。因此，最有效的方法是使用保護(hù)元件來將電流導(dǎo)離較敏感的元件。也就是在電子系統(tǒng)的連接器或端口處放置ESD保護(hù)元件，使得電流流經(jīng)保護(hù)元件，且不流經(jīng)敏感元件，以維持敏感元件的低電壓，使其免受ESD應(yīng)力影響，進(jìn)入有效控制ESD事件的發(fā)生，如圖1所示。當(dāng)然，合格的ESD元件必須具有低泄漏和低電容，且在多重應(yīng)力作用下功能不下降，從而不降低電路的功能。
圖1：典型的ESD保護(hù)元件應(yīng)用電路圖
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常見ESD保護(hù)元件分類
安森美半導(dǎo)體來自美國的ESD保護(hù)專家Robert Ashton博士說，一般而言，ESD保護(hù)元件的分類可以通過其保護(hù)策略與方向性來進(jìn)行，主要包括壓敏電阻、聚合物和瞬態(tài)電壓抑 制器(TVS)等，如表1所示。在這幾種保護(hù)元件中，壓敏電阻在低電壓時，呈現(xiàn)出高電阻，其中的每個小型二極管兩端的電壓都相當(dāng)?shù)停瑫r電流也相當(dāng)小；而在較高電壓時，其中的獨(dú)立二極管開始導(dǎo)通，同時壓敏電阻的電阻會下降。從表1中我們也可以看出壓敏電阻為雙向保護(hù)元件。而對于帶導(dǎo)電粒子的聚合物而言，在正常電壓下，這些材料擁有相當(dāng)高的電阻，但當(dāng)發(fā)生ESD沖擊時，導(dǎo)電粒子間的小間隙會成為突波音隙陣列，從而帶來低電阻路徑。
瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)則為采用標(biāo)準(zhǔn)與齊納二極管特性設(shè)計(jì)的硅芯片元件。TVS元件主要針對能夠以低動態(tài)電阻承載大電流的要求進(jìn)行優(yōu)化，由于TVS元件通常采用集成電路(IC)方式生產(chǎn)，因此我們可以看到各種各樣的單向、雙向及以陣列方式排列的單芯片產(chǎn)品。
圖2：常見ESD保護(hù)元件分類
利用屏幕截圖和TLP進(jìn)行ESD保護(hù)元件的大電流性能鑒定
Ashton博士說在正常工作條件下，ESD保護(hù)元件應(yīng)該保持在不動作狀態(tài)，同時不會對電子系統(tǒng)的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數(shù)據(jù)傳輸速率下維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的低電容值來達(dá)成。而在ESD應(yīng)力沖擊或者說大電流沖擊條件下，ESD保護(hù)元件的第一個要求就是必須能夠正常工作，要有夠低的電阻以便能夠限制受保護(hù)點(diǎn)的電壓；其次，必須能夠快速動作，這樣才能使上升時間低于納秒的ESD沖擊上升時間。
眾所周知，對于電子系統(tǒng)而言，它必須能夠在IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)測試條件下存續(xù)。雖然大部分的ESD保護(hù)元件都宣稱能夠承受IEC 61000-4-2所指定的應(yīng)力沖擊等級，如8 kV或第四級(Class 4)，但業(yè)界卻沒有公認(rèn)的ESD保護(hù)元件大電流抑制特性測試的合格標(biāo)準(zhǔn)。對此，安森美半導(dǎo)體給出了自己的定義，也就是在±10 kV應(yīng)力電壓 (高于8 kV)測試下，被測器件仍然符合其數(shù)據(jù)表規(guī)范，且器件特性沒有顯著變化。
不過，要比較不同ESD保護(hù)元件的大電流抑制特性，還需要對其進(jìn)行測試鑒定。而通過對不同ESD保護(hù)元件施加大電流沖擊所產(chǎn)生的波形的屏幕截圖對比，是重要的第一步。
圖3： TVS與壓敏電阻在8kV IEC 61000-4-2應(yīng)力沖擊測試下的輸出波形對比
圖3的屏幕截圖就是這樣一個范例。從圖中可以看出，安森美半導(dǎo)體的TVS元件可以迅速將ESD應(yīng)力降低，即從8 kV靜電電壓鉗位到5至6 V的水平；但壓敏電阻的曲線則下降得很慢，而且無法降到很低的水平。該曲線表明，TVS器件的恢復(fù)時間非常短，經(jīng)過TVS器件泄漏到后面電路的能量也非常少，特別適合于便攜式設(shè)備的應(yīng)用。
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而在多重應(yīng)力條件下，兩者的差別就表現(xiàn)得更為突出。由于TVS采用二極管工作原理，受到電擊后，會立即擊穿，然后關(guān)閉，對器件沒有損傷，因此可以說沒有壽命限制。對于壓敏電阻而言，它采用的是物理吸收原理，每經(jīng)過一次ESD事件，材料就會受到一定的物理損傷，形成無法恢復(fù)的漏電通道；而且，要達(dá)到更好的吸收效果，就要使用更多的材料，使其體積增加，進(jìn)而限制了在今天小型化產(chǎn)品當(dāng)中的應(yīng)用。
有鑒于此，安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太區(qū)市場營銷副總裁麥滿權(quán)先生打了一個比方，也就是在ESD保護(hù)方面，壓敏電阻保護(hù)施展的是“少林功夫”，用“身體(壓敏電阻)”去硬扛，會讓自己“很受傷”，而TVS耍的是“太極拳”，在ESD應(yīng)力沖擊IC之前，就將沖擊力給“引導(dǎo)開”或“消減掉”。
兩相對比，其結(jié)果是在施加1,000次8kV IEC 61000-4-2 ESD脈沖條件下，安森美半導(dǎo)體的TVS元件的漏電流小于0.1 µA，而壓敏電阻在少于20個ESD脈沖下漏電流就會超過100 µA。由此可見，在重復(fù)ESD應(yīng)用作用下，TVS仍能維持極高的性能，而壓敏電阻的性能會隨之下降，聚合物也面臨著跟壓敏電阻類似的問題。
不過，用示波器對不同保護(hù)元件在ESD應(yīng)力沖擊測試下的大電流抑制特性或者說是I-V曲線進(jìn)行屏幕截圖對比也存在不足之處。首先便是這種屏幕截圖上的V(t)與I(t)的變化非常復(fù)雜，且并不能測量擊穿電壓、維持電壓、維持電流以及二次擊穿電流等基礎(chǔ)參數(shù)，而通過對這些參數(shù)的分析可以找到電路設(shè)計(jì)和工藝的弱點(diǎn)。
圖4：時域反射(TDR) TLP測試的結(jié)構(gòu)示意圖
在這種情況下，采用傳輸線路脈沖(TLP)方法就是很好的下一步。所謂的TLP測試，就是一種利用矩形短脈沖(50~200 ns)來測量ESD保護(hù)元件的電流-電壓特性曲線的方法。這個短脈沖用來模擬作用于保護(hù)元件的短ESD脈沖，而恒定阻抗的傳輸線路可以生成恒定幅度的方波。
TLP測試通過方波測試脈沖加到待測器件(DUT)的兩個引腳之間進(jìn)行測試。TLP測試前要先對電路中的傳輸線路充電，測試時將被測器件接入，傳輸線路通過被測器件放電。改變電路和輸入電壓和傳輸線路的長度可以模擬在不同能量中的ESD脈沖，從而得到器件的ESD大電流抑制能力。TLP測試先從小電壓脈沖開始，隨后連續(xù)增加直到獲得足夠多的數(shù)據(jù)點(diǎn)，以作出完整的I-V曲線。通常測試脈沖的幅度會加大到使DUT徹底損傷為止，作而獲得其精確的允許最大脈沖電流。
總的來看，ESD保護(hù)元件的TLP測試方法優(yōu)勢突出，不僅可以確認(rèn)屏幕截圖數(shù)據(jù)，還可用于解析ESD保護(hù)元件的基礎(chǔ)參數(shù)，非常適用于對不同保護(hù)元件進(jìn)行對比。
圖5：不同ESD保護(hù)元件的TLP測試I-V曲線
結(jié)合ESD脈沖測試和TLP測試，我們可以得出結(jié)論，在不同ESD保護(hù)元件中，TVS元件，特別是安森美半導(dǎo)體的TVS元件的大電流導(dǎo)電率極佳，且在重復(fù)應(yīng)力條件下仍能維持優(yōu)異性能，不存在壓敏電阻或聚合物那樣的使用增多后會出現(xiàn)性能下降的問題；至于其在電容方面的不足，也隨著新的低電容設(shè)計(jì)的出現(xiàn)，而消除了早前的大電容問題。
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不同便攜應(yīng)用的ESD保護(hù)解決方案
按照TVS電容與傳輸速率的不同，安森美半導(dǎo)體將便攜應(yīng)用的ESD保護(hù)元件市場劃分為三個區(qū)域。第一是標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)，滿足大功率(高于100瓦)、最低鉗位電壓要求，適用于鍵區(qū)、按鈕、電池接頭、充電器接口、旁鍵等的保護(hù)，TVS電容在1,000 pF至100 pF之間；在這方面，安森美半導(dǎo)體有ESD5Z5、ESD9X等單向通用TVS產(chǎn)品。
第二是高速ESD保護(hù)，要求數(shù)據(jù)傳輸率更快、低電容，應(yīng)用于USB1.1、USB2.0FS、FM天線、SIM卡和音頻線路等，TVS電容在40 pF至5 pF；在這方面，安森美半導(dǎo)體提供了ESD9C和ESD7C等單向TVS、ESD5B和ESD9B雙向TVS、NUP4202和NUP2202等單向ESD保護(hù)陣列，以及NUP4xV、NUP8010和NUP5120等雙向ESD保護(hù)陣列。
第三個是超高速ESD保護(hù)，如USB2.0HS、HDMI、RF天線等，TVS電容在5pF以下，電容值與鉗位相反，不可用傳統(tǒng)TVS技術(shù)。這方面，客戶可以選擇安森美半導(dǎo)體的ESD9單向TVS(電容小于2 pF)、ESD11和ESD9雙向TVS(電容小于0.5 pF)、NUP4212和NUP8012單向ESD保護(hù)陣列，以及NUP4214雙向ESD保護(hù)陣列。
圖6：多層壓敏電阻(MLV) 與安森美半導(dǎo)體的TVS硅芯片技術(shù)發(fā)展趨勢對比
安森美半導(dǎo)體的ESD保護(hù)解決方案擁有眾多優(yōu)勢，如領(lǐng)先業(yè)界的超小封裝、符合各種規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)異性能、可靠的質(zhì)量及更長的使用壽命等；此外，安森美半導(dǎo)體還不斷研發(fā)，以提供更先進(jìn)的ESD保護(hù)解決方案。
總結(jié)
要對電子系統(tǒng)進(jìn)行ESD保護(hù)設(shè)計(jì)，最有效的方法還是在連接器和端口處放置外部保護(hù)元件。在壓敏電阻、聚合物和TVS這幾種常見保護(hù)元件中，前兩者分別在經(jīng)濟(jì)性和低電容方面占有優(yōu)勢，但TVS則擁有極佳的導(dǎo)電率，并且在多重應(yīng)用作用下仍能維持強(qiáng)勁性能。安森美半導(dǎo)體提供一系列采用先進(jìn)封裝、擁有極佳性能的TVS元件，分別面向大功率、高速率和超高速率等應(yīng)用領(lǐng)域，全方面滿足客戶的高性能ESD保護(hù)需求。
