【導讀】近日，我國芯片產業傳來重大利好消息——國家標準化管理委員會正式對立項的三項光刻膠相關標準進行公示，其中最引人注目的是《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》。這一標準的制定，標志著我國在攻克高端芯片制造核心材料瓶頸上邁出了至關重要的一步，對集成電路產業自主可控發展具有深遠的戰略意義。
光刻膠，被譽為芯片工業的“血液”，是光刻工藝中不可或缺的關鍵耗材。它通過精密的光化學反應，將設計好的電路圖形“轉印”到硅片上，其性能直接決定了芯片的制程水平和良率。隨著半導體技術不斷向更小節點演進，極紫外（EUV）光刻技術已成為突破7nm乃至3nm以下先進制程的唯一量產手段。與之配套的EUV光刻膠，自然也成為了決定能否躋身全球芯片制造第一梯隊的核心材料。
光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體，在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。它的作用就像一個臨時保護膜，通過感光和顯影的過程，將納米級電路圖精準地“印”到硅片上。
根據曝光光源的波長來劃分，光刻膠大致可以分為：
· g線光刻膠（436nm）
· i線光刻膠（365nm）
· KrF光刻膠（248nm）
· ArF光刻膠（193nm）
· EUV光刻膠（13.5nm）
然而，一個嚴峻的現實是，全球EUV光刻膠市場超過95%的份額被日本JSR、東京應化等少數幾家企業壟斷，我國在該領域的國產化率目前仍為零。這種高度依賴的格局，使我國高端芯片產業的發展面臨著巨大的供應鏈安全風險和“卡脖子”困境。
在EUV光刻膠研發尚處早期、國產化幾乎空白的背景下，測試標準的建立堪稱一場“及時雨”。此前，國內缺乏統一、科學的測試方法，多依賴國外企業標準，導致國產材料在晶圓廠的驗證周期漫長，嚴重遲滯了研發和應用進程。
此次立項的《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》，旨在系統性地規范核心性能指標的檢測流程，如靈敏度、線邊緣粗糙度等。它將與另外兩項針對ArF光刻膠及其浸沒式技術的標準——《ArF光刻膠釋氣測量方法》和《ArF浸沒式光刻膠小分子浸出速率測量方法》——共同構成支撐芯片材料國產化的標準體系骨架。
標準落地后，將有力推動測試數據的互認，降低晶圓廠導入國產材料的風險，促進測試設備的國產化替代，從而顯著壓縮研發成本，加速整個產業從“依賴進口”到“自主可控”的躍遷。
盡管前路挑戰重重，但我國在光刻膠領域的研發正呈現出積極的加速態勢。2025年以來，多項重要研究成果相繼涌現：
清華大學團隊開發出基于聚碲氧烷的新型EUV光刻膠，為材料設計提供了創新思路。
華東理工大學與國外頂尖實驗室合作，在先進光刻膠的精確制備和光刻驗證上取得進展。
北京大學團隊利用冷凍電鏡技術，揭示了光刻膠在工藝中的微觀機制，成功提升了晶圓制造的良率。
在產業端，無錫建立了全國首個納米級光刻膠中試線，據稱其單分子粒徑已達到國際領先水平，并具備支撐國產EUV光刻機研發的潛力。
這些從高校前沿研究到產業中試平臺的突破，表明那扇曾經緊閉的技術大門，正在被一點點推開。
