【導讀】本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結構減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統模塊相同的情況下，SDA結構可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現了1800A的額定電流，是傳統1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
1 三菱電機功率器件制作所, 日本
2 三菱電機歐洲公司, 德國
摘要
本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結構減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統模塊相同的情況下，SDA結構可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現了1800A的額定電流，是傳統1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
1.引言
近年來，作為應對全球變暖的對策，光伏和儲能等可再生能源市場正在穩步增長，在這些市場中，作為功率轉換系統核心的功率半導體器件的需求正在大幅增長。特別是1200V級別的IGBT功率模塊被廣泛集成到系統中，需要輸出功率更高的IGBT模塊來提高系統性能并降低系統成本。工程師們正在有限的空間內設計具有高功率能力的系統，因此，要求 IGBT 模塊在保持傳統封裝尺寸的同時提高輸出功率。有兩種方法可以提高輸出功率，第一種是提高輸出電壓，第二種是增加輸出電流。選擇提高輸出電壓需要用戶進行大量的重新設計，因為IGBT模塊周圍的許多器件也需要提高其額定電壓。另一方面，與提高電壓相比，選擇增加電流的方法在提高輸出功率的同時，用戶的設計更改較少。提高IGBT模塊的功率密度對于提高傳統1200V級IGBT功率模塊的輸出電流具有重要意義，而“降低損耗”和“增加散熱”是提高功率密度較為可取的方法。
圖1顯示了采用額定1200A/1200V LV100封裝的第7代IGBT產品，在A-NPC三電平拓撲條件下計算得到的穩態和開關損耗的歸一化比率。可以注意到，IGBT和二極管的穩態功率損耗在外管、內管、中性點鉗位管的總損耗中都占有較高比率。同時還可以發現，外管的開通損耗較大，因此，降低IGBT穩態損耗、開通損耗以及二極管穩態損耗對于降低總功率損耗非常有效。第8代芯片為降低上述功率損耗進行了優化，此外，擴大芯片面積是增加散熱的一種可行方法，第8代芯片通過擴大芯片面積，改善了穩態特性和散熱能力。
LV100封裝是一種工業級封裝，采用疊層電極結構[2]，具有較低的Ls（封裝內部寄生電感）。此外，LV100可以為內部芯片提供出色的電流平衡，并且可以并聯使用，因此近年來已被用于多種用途。
2.第8代芯片技術
第8代芯片主要采用分段式柵極溝槽（SDA）結構和控制載流子等離子體層（CPL）結構，本節將對這些技術進行說明。
IGBT模塊的高速開關操作可以降低開通損耗，然而，高速開關操作會帶來較高的開通dv/dt。眾所周知，它是一種電磁干擾（EMI）輻射噪聲源，會對用戶的電動機絕緣產生應力，所以應通過增加柵極電阻（RG）來將開通dv/dt限制在一定值以下，然而較大的RG會降低IGBT模塊的開關速度，并導致較高的開通損耗。因此，有必要在不增加RG的情況下降低開通dv/dt。圖3和圖4顯示了第7代和第8代載流子存儲式溝槽柵雙極晶體管（CSTBTTM）的截面示意圖[3]，在第7代CSTBTTM中，與柵極相連的有效溝槽和與發射極相連的無效溝槽交替放置。而在第8代CSTBTTM中，無效溝槽被SDA溝槽取代，在這一配置中，溝槽內部的電極分為兩段，SDA溝槽的上電極連接到發射極，而下電極連接到柵極。此外，CPL被應用于第8代CSTBTTM的背面緩沖層。圖5-(a)和(b)顯示了第7代和SDA結構的芯片特性，顯示了發射極電流（IE）與開通dv/dt的關系，圖5-(a)中的橫軸表示額定IE低于100%的區域，圖5-(b)中的橫軸表示額定IE低于2%的區域。SDA結構在不增加柵極-發射極電容（CGE）的情況下增加了柵極-集電極電容（CGC），如圖5-(a)和(b)所示，增加CGC可以降低小電流下的開通dv/dt，而不會影響大電流下的開通dv/dt[4]。SDA結構的這一效應很重要，因為在小電流下開通dv/dt通常是最高的。
穩態和開關損耗通常可以通過減小芯片厚度來降低，優化芯片厚度時應考慮擊穿電壓。在有高di/dt的關斷操作時，會產生關斷浪涌電壓，如果這個關斷浪涌電壓超過IGBT的擊穿電壓，IGBT模塊將會損壞。因此，為了減小IGBT厚度并實現高di/dt下的關斷操作，抑制關斷浪涌電壓非常重要。
第8代IGBT調整了背面緩沖層的設計[5]，CPL結構提供了關斷時的柔和度。帶CPL和不帶CPL的IGBT關斷波形如圖6所示，不帶CPL的IGBT顯示出高而尖的關斷浪涌電壓，浪涌電壓峰值超過了1200V的額定電壓。反觀，帶CPL的IGBT可抑制關斷浪涌電壓和振蕩，浪涌電壓峰值保持在1200V的額定阻斷電壓以下，它們在相同條件下進行比較，因為浪涌電壓和振蕩的發生程度通常受到外部電感（Ls）和運行條件等因素的影響。這兩種芯片都與第8代IGBT的厚度相同，僅通過改變背面緩沖層的設計來進行比較。因此，帶有CPL的第8代IGBT能夠在較高di/dt條件下關斷運行，并減小了芯片厚度，所以第8代IGBT可以降低功率損耗。
第8代芯片采用了SDA柵極結構和CPL結構等技術來提高功率密度。
3.第8代IGBT模塊的評估結果
本節對LV100封裝中配備第2節所述第8代芯片的第8代額定1800A/1200V的IGBT模塊和配備第7代芯片的傳統模塊CM1200DW-24T（1200A/1200V額定）進行了評估。
圖7展示了芯片面積和結殼熱阻（Rth(j-c)）的歸一化比較，第8代1200V等級芯片組的芯片面積針對LV100封裝中的芯片安裝區域進行了優化。第8代IGBT采用的芯片面積比第7代IGBT面積大39%，從而降低了Rth(j-c)，擴大IGBT面積還可以降低IGBT的穩態損耗。
第8代二極管優化了芯片厚度，調整了損耗折衷曲線，以發揮第8代IGBT的性能。此外，該二極管通過采用比第7代二極管面積大18%的芯片面積來減少Rth(j-c），擴大的二極管面積還可以降低二極管的穩態損耗，而且，第8代IGBT模塊通過優化封裝內部的設計，擴大了芯片安裝的可用面積。
圖8-(a)和(b)顯示了在上述條件下評估開通dv/dt與IE的關系，圖8-(a)中的橫軸表示額定IE低于100%的區域，圖8-(b)中的橫軸表示額定IE低于2%的區域。與芯片特性類似，第8代模塊和傳統模塊在小電流下的開通dv/dt都高于大電流下的開通dv/dt，特別是在額定IE低于0.5%的區域，傳統模塊的開通dv/dt明顯更高。相比之下，第8代模塊在低于額定IE的所有區域的開通dv/dt都比傳統模塊低，尤其是通過應用SDA結構，第8代模塊在低于額定IE 0.5%的小電流下的開通dv/dt得到了有效降低，并且通過擴大芯片面積和折衷曲線，也降低了大電流區域的開通dv/dt。
圖9顯示了第8代模塊和傳統模塊在最大開通dv/dt時的發射極-集電極電壓（VEC）波形（如圖8-(b)所示，傳統模塊的條件為IE=0%，第8代模塊的條件為IE=0.1%），這些波形也證實了第8代模塊的dv/dt低于傳統模塊的dv/dt。
圖10顯示了開通dv/dt與IE的關系，第8代的開通dv/dt匹配為20kV/μs，這是傳統模塊的最大值。第8代模塊調整了RG去匹配傳統模塊的開通dv/dt，由于第8代模塊具有較低的開通dv/dt，所以可以使用比傳統模塊更小的RG。減小的RG為第8代模塊提供了高速開關操作的可行性，并且可以降低每個脈沖的開通開關能量（Eon）。
圖11顯示了第8代模塊和傳統IGBT模塊的Eon與開通dv/dt之間的關系，與傳統模塊相比，第8代模塊在開通dv/dt=20kV/μs條件下Eon降低了約60%。
4.第8代IGBT模塊的電氣參數和輸出功率
圖12顯示了傳統CM1200DW-24T（額定值1200A/1200V）和第8代額定值1800A/1200V的LV100封裝IGBT功率模塊的電氣參數，傳統模塊使用可用的最小RG值，此時的開通dv/dt為20kV/μs。第8代模塊的RG已調整為與傳統模塊的開通dv/dt相匹配，兩者的損耗比較結果如下所述。
(a). VCEsat
通過擴大芯片面積和減小芯片厚度可降低VCEsat。
(b). VEC
通過擴大芯片面積、優化芯片厚度和折衷曲線，可降低VEC。
(c). Eon
通過采用SDA結構和減小芯片厚度，可減少Eon。
(d). Eoff
擴大芯片面積會增加Eoff，而減小芯片厚度則可降低Eoff，因此，Eoff調整為與傳統模塊相似的損耗曲線。
(e). Err
擴大芯片面積和折衷曲線，Err會增加。
圖13顯示了IGBT模塊的載波頻率（fC）和輸出電流（IOUT）之間的關系，橫軸表示載波頻率（fC），縱軸表示輸出電流（IOUT）。這是通過圖12中的電氣參數計算得出的。結果表明，與傳統模塊相比，第8代IGBT模塊的輸出功率可以提高約25%，通過優化冷卻條件和其他因素，還可以進一步提高IOUT。
5.結論
第8代1200V電壓等級LV100封裝的IGBT功率模塊，具有更高的額定電流，專為工業應用而設計。通過采用SDA柵極結構和CPL結構，第8代IGBT模塊展現出卓越的功率損耗，特別是與具有相同開通dv/dt的傳統模塊相比，IGBT的SDA柵極結構使得EON降低了約60%。此外，擴大了第8代芯片的面積，以增強散熱并降低穩態損耗，通過降低損耗，模塊提高了功率密度。因此，第8代1200V IGBT模塊采用與傳統LV100相同的封裝下，實現了1800A的額定電流，如圖14所示。
6.參考文獻
[1] “7th Generation T-series Industrial LV100-type Application Note”, Mitsubishi Electric Power module application note, March 2023, https://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/powerdevices/applica... rial_lv100_e.pdf
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[3] H. Takahashi et al. “Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor (CSTBT) -A Novel Power Device for High Voltage Application-”, ISPSD 1996.
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關于三菱電機
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發言人：Daichi Otori, Otori.Daichi@ap.MitsubishiElectric.co.jp
通訊作者：Daichi Otori, Otori.Daichi@ap.MitsubishiElectric.co.jp
(作者:Daichi Otori1, Masaomi Miyazawa1, Stumpf Eugen2, Koichi Masuda2)
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