【導讀】高頻振蕩型接近開關由檢測元件﹑檢波單元﹑放大單元﹑整型單元和輸出單元等組成。
什么是高頻振蕩接近開關？
高頻振蕩型接近開關由檢測元件﹑檢波單元﹑放大單元﹑整型單元和輸出單元等組成。這種傳感器內部安裝的檢測元件是由檢測線圈和高頻振蕩器組成﹐加電后檢測線圈產生一個交變的電磁場﹐當金屬物體接近電磁場時﹐金屬表面的磁通密度發生變化而產生感應電流——渦流﹐渦流產生的磁通總是與檢測線圈的磁通方向相反。由于渦流的作用﹐使檢測線圈能耗增加﹐品質系數下降﹐振幅降低﹐以至振蕩器停振。反之﹐當金屬物件遠離這個作用區時﹐振蕩器又開始振蕩。檢測電路檢測到振幅器的狀態變化后﹐轉換為一個開關量訊號。
高頻振蕩接近開關原理
是在使用時一定要注意操作方法，畢竟和電有關的東西都是比較危險的。接近開關屬于一 種有開關量輸出的位置傳感器根據工作原理的不同分為電感式和電容式，電感式接近開關它由LC高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個能產生電磁場的振蕩感應頭時，使物體內部產生渦流。可根據客戶需要制作成耐高溫型接近開關，最高溫度150C。
交流電源接入整流模塊，經濾波及三相全波整流器后變成直流，再接入高頻逆變回路，將直流轉換為高頻交流，最后經高頻變壓器、整流橋、濾波器后輸出平穩直流。
高頻開關電路主要由整流濾波電路，全橋變換電路，PVm時空制電路， 穩壓、限壓電路，穩流、限流電路，保護電路，以及輔助電源電路等組成。
三相電網(或單相)電壓經電源開關后，進行整流濾波，得到的520Vdc (單相為300Vdc)的平滑直流電壓供給逆變電路。。
逆變電路主要由大功率IGBT模塊(或場效應MOSFET模塊)組成全橋變換電路。當P沏俞出控制信號通過隔離驅動器分別驅動功率模塊，兩組對角管分別交替導通，在高頻變壓器初級產生高頻脈沖電壓,次級電壓由高頻變壓器變壓后經整流向負載提供能量。
輸出端分別接有穩壓、限流和穩流、限壓等反饋電路。當置于穩壓狀態時，穩壓和限流電路起作用,當輸出電壓升高或下降時，取樣電壓通過穩玉電路內部電壓比較器跟基準電壓比較，其誤差信號電壓加到Pw時控制電路，使PV俞出脈寬作相應變化，從而穩定輸出電壓，如負載電流過高時，限流電路工作，使輸出電流限制在限流設定值內。
同樣，在穩流狀態下，穩流電路作用，使輸出電流穩定在設定值內，而當過壓時，限壓電路使輸出電壓鉗位在限壓值。當有異常情況(如輸入過壓或欠壓，過流或過熱等)產生保護信號加到保護控制電路時,保護電路輸出-一個電壓加到PVM電路,使PM電路停止輸出，從而達到保護目的。
