可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有 耐壓高、容量大、體積小等優點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線路中。
可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。
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干貨
晶閘管（thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上第一個晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是pnpn四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為"v"、"vt"表示
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脈沖功率技術是一種能量密度"壓縮"技術,它通過開關的瞬時導通把較長時間內儲存的能量在很短的時間(μs或ns量級)內釋放出來,形成幅度達數十kA甚至數百kA的強電流脈沖。詳細閱讀>>
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雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。詳細閱讀>>
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晶閘管的過壓保護設備是基于一對雙極性晶體管，這一對雙極性晶體管是由四層不同摻雜的N，P極組成，如圖1所示。N型摻雜的N1，P型摻雜的P1，和N型摻雜的N2分別構成NPN晶體管的發射極，基極和收集極，而P型摻雜的P2，N型摻雜的N2，和P型摻雜的P1分別構成了PNP晶體管的發射極，基極，和收集極。詳細閱讀>>
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盡管功率場效應VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導體元器件層出不窮,且在電力電子技術領域占據重要位置,晶閘管(可控硅) 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性,仍有著穩固的陣地,受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執行等多個環節的情況下,將單結晶體管移相觸發器中的晶體管誤差放大器改為集成運算放大器,就可實現晶閘管直流穩壓器的過流及短路保護,簡化了電路結構...詳細閱讀>>
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無功補償是電力系統運行的基本要求。為了在電力系統運行中進行無功平衡，必須對各種電力負荷所需的無功功率進行補償。無功補償的方法有調相機補償和電容器組補償等，其中最為有效和易于實施的是在靠近負荷點的地方進行就地無功補償。由于無功補償掛接在電網上主要是通過自動投入和切除電力電容器來達到補償效果，因此，控制電容器投切的開關元件性能對整個裝置的質量和穩定性起著非常關鍵的作用。目前，國內的無功補償產品...詳細閱讀>>
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本文將驅動電路及SITH器件一起擴展成實際的開關電源應用電路，經測試，得到了比較先進的性能指標。這樣，對SITH器件的應用研究就更加全面，使得對它的推廣應用打下扎實的基礎。詳細閱讀>>
經典案例
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電氣化鐵路（ 以下簡稱電鐵）的諧波問題是一個關系到公用電網電能質量和電鐵順利建設的重大問題, 我國從80 年代處就開始致力研究、解決這一問題。串聯補償裝置可以在一定程度上解決這一問題, 而且由于其技術難度低、投資小、易于實現, 因而在單線電鐵的復線改造工程中顯示出了極大的優越性。詳細閱讀>>
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隨著電力電子技術的飛速發展，晶閘管軟起動裝置應運而生。三相異步電動機的起停技術發生了劃時代的變化。晶閘管軟起動產品問世不過30年左右的時間，而其主要性能卻大大優于磁控軟起動、液阻軟起動等傳統軟起動方式。它的體積小，結構緊湊，幾乎免維護，功能齊全，起動重復性好，保護周全，目前已成為軟起動領域中的佼佼者。詳細閱讀>>
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晶閘管自1957年問世以來，隨著半導體技術及其應用技術的不斷發展，使其在電氣控制領域中發揮了很大的作用。但是，過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中，由分立器件組成的電路復雜、體積大，安裝調試麻煩，可靠性也較差。晶閘管智能模塊ITPM的出現，從根本上解決了上述難題...詳細閱讀>>
晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
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