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大功率全方位反射鏡發光二極管性能研究
目前大功率LED光提取效率比較低的一個重要原因是LED 襯底的厚度比較大，很大一部分有源區發射的光入射到襯底層被襯底和電極等材料吸收，從而大大降低光的提取效率，進而影響出光，為了改善這一缺陷，近幾年利用全方位反射鏡 ( omnidirectional reflector，ODR) 將有源區發出的射向襯底的光反射出去...
2011-08-19
反射鏡 發光二極管 大功率LED 串聯電阻
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基于軟開關的電子輻照高壓電源設計
在食品加工過程中采用電子輻照技術，可以提高食品的安全性。加速管作為離子束加速器件，在電子輻照工程裝置中是關鍵設備。為了滿足不同輻照物體的輻照計量要求，需要電子槍高壓電源可以連續可調。本文介紹一種實用化的具有良好特性的電子槍直流高壓電源的設計。
2011-08-19
高壓電源 軟開關 電子輻照 電子槍
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晶體管也玩立體化 Intel Ivy Bridge前景樂觀
今年年初，Intel正式發布了SandyBridge架構，從筆記本、臺式機到服務器都一應俱全，幾個月內SnB大潮就已經席卷了整個市場。如今在桌面平臺方面，已經更新到第二代Z68等芯片組了，推陳出新速度非常之快。
2011-08-18
Intel 晶體管 筆記本 臺式機
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高性能三元材料動力鋰電池即將國產
近日，由上海卡耐新能源有限公司生產的高性能三元材料動力鋰電池在北京亮相。據悉，該鋰電池是引進日本技術生產的，將于今年年底投放國內市場。
2011-08-18
卡耐新能源 鋰電池 新能源 動力電池
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薄膜電池具成本優勢 或搶占更多裝機份額
市場期待已久的光伏電價終于出臺，國家發改委8月1日下發通知，對非招標太陽能光伏發電項目實行全國統一的標桿上網電價。但事實上，目前國內光伏發電成本仍在1元以上，只有少數薄膜電池企業能承受1元/千瓦時以下的上網電價。有分析認為，因為價格上的優勢，所以可能對投資規模和成本較低的薄膜電池更...
2011-08-18
光伏電 太陽能 電價 晶體硅電池
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SiB437EDKT：Vishay推出微型低導通電阻功率MOSFET用于便攜設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18
SiB437EDKT Vishay 功率MOSFET
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開關電源測試方案
開關電源因其效率高，體積小而被電子企業廣泛應用，以下是自己在工作中總結出來的測試方法和測試項目，在電源設計時若能充分考慮到這些方面，那么其產品將會被越來越多的客戶所使用。
2011-08-18
開關 電源測試 電壓 額定負載
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電源設計中的電容應用實例
這里，只介紹一下電路板電源設計中的電容使用情況。這往往又是電源設計中最容易被忽略的地方。很多人搞ARM，搞DSP，搞FPGA，乍一看似乎搞的很高深，但未必有能力為自己的系統提供一套廉價可靠的電源方案。這也是我們國產電子產品功能豐富而性能差的一個主要原因，根源是研發風氣吧，大多研發工程師...
2011-08-17
電容應用實例 電容應用 電源設計
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PBSM5240PF：恩智浦推出超緊湊型中等功率晶體管用于便攜設備
恩智浦半導體NXP日前宣布推出采用DFN2020-6 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。
2011-08-17
PBSM5240PF 恩智浦半導體 NXP 晶體管
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