-
飛兆半導(dǎo)體再次出擊
FDPC8011S實現(xiàn)電源設(shè)計最高功率密度和最高效率隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
2012-05-11
飛兆半導(dǎo)體 電源設(shè)計
-
高壓負(fù)輸出充電泵提供低輸入和輸出紋波
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 5 月 10 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出通用高壓充電泵 LTC3260 和 LTC3261。LTC3261 是高壓負(fù)輸出充電泵，可提供高達 100mA 的輸出電流。LTC3260 具有與 LTC3261 相同的充電泵，但還包括兩個正及負(fù) LDO 穩(wěn)壓器，每個 LD...
2012-05-10
高壓 充電泵 LDO LTC3260
-
實現(xiàn)兆瓦級太陽能與風(fēng)力發(fā)電變流器小型化和高效化
搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開始發(fā)售為實現(xiàn)低碳社會，有效利用可再生能源的太陽能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電等兆瓦級大規(guī)模發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)正在不斷增加，對功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的小型化和高效化要求也日益提高。想要實現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)進一步小型化、高效化，一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。
2012-05-10
IGBT模塊 MPD系列IGBT模塊 三菱電機
-
光伏發(fā)電核心技術(shù)問題全解析
光能發(fā)電是當(dāng)今世界的尖端科技，將為全人類徹底解決“能源危機”“環(huán)境污染”和“可持續(xù)發(fā)展”等三大世界難題，將做出歷史性、跨世代的偉大貢獻，將為人類利用新能源、新技術(shù)方面進入一個嶄新的時代，在現(xiàn)實的發(fā)展中存在這若干的核心問題。
2012-05-09
光伏 發(fā)電
-
太陽能控制器選擇的7大法則
從事太陽能行業(yè)多年，認(rèn)識了朋友同行，了解到很多公司都是從傳統(tǒng)的市電路燈或者其他領(lǐng)域轉(zhuǎn)到太陽能行業(yè)，一些朋友在施工過程中以及在使用過程中出現(xiàn)過很多問題，主要還是對太陽能路燈的配置組合以及相關(guān)輔件應(yīng)用掌握的不夠。
2012-05-09
太陽能 控制器 法則
-
Power Integrations完成收購CT-Concept Technologie AG
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司近日宣布已完成對CT-Concept Technologie AG的收購，自5月1日起生效。
2012-05-09
高壓驅(qū)動 驅(qū)動電壓 IGBT 模塊
-
羅姆開發(fā)出世界最小的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管！
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社近日面向智能手機和數(shù)碼相機等追求小型、薄型化的各種電子設(shè)備，開發(fā)出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管。
2012-05-09
快速恢復(fù) 二極管 智能手機 數(shù)碼相機
-
開關(guān)電源降低功耗及提高其待機效率的方法
隨著能源效率的日益重要，人們對開關(guān)電源待機效率期望越來越高，客戶要求電源制造商的電源產(chǎn)品能滿足綠色能源標(biāo)準(zhǔn)。而大多數(shù)開關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入待機狀態(tài)時，電源效率急劇下降,待機效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。
2012-05-09
開關(guān)電源 功耗 待機效率
-
4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)紀(jì)錄
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件實現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計，而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷，在10V電壓下實現(xiàn)了1.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。
2012-05-09
TrenchFET MOSFET SiRA00DP 導(dǎo)通電阻 Vishay
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發(fā)布集成驅(qū)動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%！力芯微推出超低內(nèi)阻、超低失真4PST模擬開關(guān)
- 一“芯”雙電！圣邦微電子發(fā)布雙輸出電源芯片，簡化AFE與音頻設(shè)計
- 一機適配萬端：金升陽推出1200W可編程電源，賦能高端裝備制造
- 當(dāng)0.5V遇上紋波噪聲：為何PSRR成為AI芯片穩(wěn)定運行的“生命線”？
- 自研ATAN指令+17位高分辨率：揭秘極海G32R430如何實現(xiàn)微秒級電角度計算
- 普恩志半導(dǎo)體核心備件，驅(qū)動3nm工藝極致控溫與良率
- 3D打印的“視覺神經(jīng)”：槽型光電開關(guān)
- 普恩志半導(dǎo)體核心備件，驅(qū)動3nm工藝極致控溫與良率
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
