此文章出自該貼： 【每周一問第三期】為什么以下三種方法可以降低電源的輻射干擾？
請聽題：
一款電源的輻射干擾超標(biāo)20db，采用下述方法處理后，完全達(dá)標(biāo)。
（1）在所有的整流二極管的一端串聯(lián)一小磁珠；
（2）在開關(guān)管的控制極串聯(lián)一電阻，并在控制極并一50p的電容到地；
（3）在所有的整流二極管兩端并聯(lián)一個(gè)470p電容。
問答：
1、為什么在所有的整流二極管的一端串聯(lián)一小磁珠可以降低輻射干擾？
2、為什么在開關(guān)管的控制極串聯(lián)一電阻，并在控制極并一50p的電容到地，可以降低輻射干擾？
3、為什么在所有的整流二極管兩端并聯(lián)一個(gè)470p電容，可以降低輻射干擾？
讓我們來看看大家是怎么回答的吧！首先給大家看看mic29的答案：
1、為什么在所有的整流二極管的一端串聯(lián)一小磁珠可以降低輻射干擾？
我認(rèn)為串磁珠無法降低di/dt，但可以吸收高頻諧波的輻射能量，因而降低EMI，這個(gè)與串可飽和電感來直接降低di/dt屬于不同的抑制原理，可飽和電感是直接抑制二極管TRR的對策，也就是直接抑制di/dt，但成本相較于磁珠則相當(dāng)高，應(yīng)該在百倍以上。
2、為什么在開關(guān)管的控制極串聯(lián)一電阻，并在控制極并一50p的電容到地，可以降低輻射干擾？
從兩個(gè)方面解釋：第一是將之視為RC濾波，可抑制IC送給MOS的控制信號中的高頻諧波電流，讓高頻諧波電流以更短路徑、更小回路面積回到IC。
其次，加電阻后路徑阻抗變大，依t=RC來看，miller電容充放電的時(shí)間都變長，也就是MOS on/off時(shí)產(chǎn)生的di/dt與dv/dt都下降，EMI也就變好了。
3、為什么在所有的整流二極管兩端并聯(lián)一個(gè)470p電容，可以降低輻射干擾？
以直觀來看，C8可減緩D6的端電壓變化，也就是降低dv/dt，也就降低二極管N極經(jīng)雜散電容產(chǎn)生的共模電流（i=C*dv/dt），EMI自然變好。
再來看看化二為一是怎么回答的：
1、為什么在整流二極管的一端串聯(lián)一小磁珠可以降低輻射干擾？
應(yīng)該是次級整流二極管的一端串聯(lián)小磁珠，本人尚未在初級整流電路中有人串聯(lián)磁環(huán)（主要指AC220V/DC電源模塊）
A）次級整流二極管串聯(lián)磁珠：小磁珠可以吸收次級整流二極管產(chǎn)生的高頻的di/dt干擾，同時(shí)增加整流二極管側(cè)電容的濾波效果（由于濾波電容存在等效串聯(lián)電容ESL削弱了電容本身的旁路或高頻濾波作用，會在開關(guān)電源輸出端出現(xiàn)頻率高的尖峰干擾）。
B）初級整流二極管串聯(lián)磁珠：開關(guān)電源工作時(shí)，開關(guān)管高頻通斷，經(jīng)由變頻變壓壓器的初級線圈、開關(guān)管和輸入濾波電容形成了一個(gè)高頻電流環(huán)路。這個(gè)環(huán)路的存在，就可能對空間形成電磁輻射。輻射的騷擾強(qiáng)度與IAf*F的乘積成正比，其中，I是高頻電流環(huán)路的電流強(qiáng)度；A是環(huán)路包圍的面積；f是電流頻率。在初級串聯(lián)磁珠，主要是衰減或吸收開關(guān)管高頻的諧波。
2、為什么在開關(guān)管的控制極串聯(lián)一電阻，并在控制極并一50p的電容到地，可以降低輻射干擾？
開關(guān)管的開/關(guān)過程（開關(guān)頻率調(diào)制一般在100KHZ左右），將產(chǎn)生很大的di/dt、du/dt，在控制極并聯(lián)“電容+電阻”，能夠降低其開關(guān)管的上升/下降沿，即減小開關(guān)管的高頻諧波（該諧波很容易引起EMI問題），并減小尖峰電壓的幅度。
3、為什么在所有的整流二極管兩端并聯(lián)一個(gè)470p電容，可以降低輻射干擾？
應(yīng)該是在次級整流二極管兩端并聯(lián)“470pf電容+電阻”，主要原因是——整流二極管在關(guān)斷時(shí)，存在反向恢復(fù)電流，容易與電路的寄生電感等形成高頻振蕩，串聯(lián)了小磁珠，就是衰減或吸收這種干擾。次級整流回路中的二極管在正向?qū)〞r(shí)PN結(jié)被充電；在加反向電壓時(shí)（截止），積累的電荷將被拋散，并因此產(chǎn)生反向電流，這個(gè)過程非常短暫。所在在分布電感（如變壓器的漏感等）和分布電容（如二極管的結(jié)電容等）存在的回路里，實(shí)際上構(gòu)成了一個(gè)高頻的諧振電路，當(dāng)二極管截止瞬間的電流變化非常劇烈時(shí)，在整個(gè)次級整流回路中會產(chǎn)生高頻衰減振蕩，形成對外界的差模輻射。
除了以上兩位答題比較詳細(xì)以外，以下網(wǎng)友也給大家做了合理的解釋，也可供大家參考一下。
terrysun的答案：
1.串聯(lián)磁珠，吸收高頻信號，避免高頻信號返回到電力線；
2.降低開關(guān)管開關(guān)速度，減少高頻振蕩，但開關(guān)管可能會發(fā)熱比以前大；
3.避免二極管反向回復(fù)引起的輻射；
dwdsp的答案：
1、小磁珠可以緩沖尖峰波
2、一般控制極電流較小而敏感，串聯(lián)電阻并電容到地可以組成簡單的阻容濾波電路的。
3、整流二極管開關(guān)的過程會產(chǎn)生瞬變，導(dǎo)致電壓電流突變，并電容可以吸收多余的電荷。
那么你呢？對以上問題你還有其他的答案，或者是你贊成以上網(wǎng)友的一些看法嗎，如果你能夠在該貼中作答，跟這些網(wǎng)友分享交流，相信你會對此記憶更深刻，進(jìn)步更快，你說對嗎？
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