【導讀】通常，為了實現(xiàn)大電流化，一般采用增加MOSFET使用數(shù)量等方法來實現(xiàn)，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長期以來很難保持小型尺寸。羅姆近日成功開發(fā)出無需整流元件—二極管的SiC功率模塊，支持1200V/180A，大幅降低逆變器電力損耗，現(xiàn)已開始量產。
日本知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調節(jié)器等的逆變器、轉換器，開始SiC－MOS模塊（額定1200V/180A）的量產。該模塊內置的功率半導體元件全部由SiC－MOSFET構成，尚屬業(yè)界首次。額定電流提高到180A，應用范圍更廣，非常有助于各種設備的低功耗化、小型化。
另外，生產基地在羅姆總部工廠（日本京都），已經開始銷售樣品，預計12月份開始量產并出貨。
圖1：羅姆首款無需肖特基勢壘二極管的SiC-MOS模塊
羅姆于2012年3月世界首家實現(xiàn)內置的功率半導體元件全部由碳化硅構成的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）的量產。該產品在工業(yè)設備等中的應用與研究不斷取得進展；而另一方面，在保持小型模塊尺寸的同時希望支持更大電流的需求高漲，此類產品的開發(fā)備受市場期待。
通常，為了實現(xiàn)大電流化，一般采用增加MOSFET使用數(shù)量等方法來實現(xiàn)，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長期以來很難保持小型尺寸。
圖2：相同封裝尺寸，電流提高50%
此次，羅姆采用消除了體二極管通電劣化問題的第2代SiC-MOSFET，成功開發(fā)出無需整流元件—二極管的SiC功率模塊（SiC-MOS模塊），使SiC-MOSFET的搭載面積増加，在保持小型模塊尺寸的同時實現(xiàn)了大電流化。內置的SiC-MOSFET通過改善晶體缺陷相關工藝和元件構造，成功地攻克了包括體二極管在內的可靠性方面的各種課題。
由此，與逆變器中使用的一般Si-IGBT相比，損耗降低50％以上，在實現(xiàn)更低損耗的同時，還實現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率，有利于外圍元件的小型化。
SiC-MOS模塊特點：
MOS單體即可保持開關特性不變。無尾電流，開關損耗更低
即使去掉SBD亦可實現(xiàn)與以往產品同等的開關特性。由于不會產生Si-IGBT中常見的尾電流，損耗可降低50％以上，有助于設備更加節(jié)能。另外，達到了Si-IGBT無法達到的50kHz以上的開關頻率，因此，還可實現(xiàn)外圍設備的小型化、輕量化。
圖3：與Si-IGBT相比，損耗降低50％以上
可逆向導通，實現(xiàn)高效同步整流電路
一般Si-IGBT元件無法逆向導通，而SiC-MOSFET可通過體二極管實現(xiàn)常時逆向導通。另外，通過輸入柵極信號，還可實現(xiàn)MOSFET的逆向導通，與二極管相比，可實現(xiàn)更低電阻。通過這些逆向導通特性，與二極管整流方式相比，可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術。
圖4：可逆向導通，實現(xiàn)高效同步整流電路
成功解決體二極管的通電劣化，通電時間達1000小時以上且無特性劣化
羅姆究明了體二極管通電的缺陷擴大機理，通過工藝、元件結構成功控制了產生劣化的因素。一般產品通電時間超過20小時導通電阻就會大幅增加，但本產品通電時間達1000小時以上導通電阻也不會增大。
圖5：通電時間達1000小時以上且無特性劣化
