【導(dǎo)讀】相信大多數(shù)人都遇到過LED漏電問題，二漏電的時(shí)機(jī)卻各有不同。有的漏電原因是LED封裝完成后測試時(shí)產(chǎn)生的，有的是長時(shí)間放置產(chǎn)生的，有的是老化之后產(chǎn)生的，有的是在焊接后產(chǎn)生的。下面給大家總結(jié)一下LED的漏電原因。
LED漏電的原因
在導(dǎo)讀部分，羅列了一些人給出的造成LED漏電的原因。根據(jù)本人多年處理LED問題及使用LED的經(jīng)驗(yàn)，本人認(rèn)為，在目前，最可能導(dǎo)致LED發(fā)生漏電的主要原因排序應(yīng)該如下：
(1)芯片受到沾污 (——最主要、高發(fā)問題)
(2)銀膠過高
(3)打線偏焊
(4)應(yīng)力
(5)使用不當(dāng)
(6)晶片本身漏電
(7)工藝不當(dāng)，使得芯片開裂
(8)靜電
(9)其它原因
1. 芯片受到沾污引起漏電
LED芯片是非常小的，灰塵等易對它產(chǎn)生遮蔽作用，最重要的是灰塵、水汽、各種雜質(zhì)離子會附著與芯片表面，不僅會在表面對芯片內(nèi)部產(chǎn)生作用，還會擴(kuò)散進(jìn)入芯片內(nèi)部產(chǎn)生作用。比如，銅離子、鈉離子都很容易擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體材料中，非常微小的數(shù)量就可以使半導(dǎo)體器件的性能嚴(yán)重惡化。對于半導(dǎo)體器件的制造，通常都要求有凈化等級非常高的潔凈廠房。可以考察一下LED封裝廠，上千家之中有幾家的廠房能有什么樣的潔凈等級?絕大多數(shù)都是能與大氣直接相通的房間，根本談不上凈化。雖然有人會說，“我們的廠房沒有灰塵，很潔凈”，可是，潔凈程度不是用眼睛來看的!眼睛是根本看不到芯片生產(chǎn)和封裝要求的潔凈程度的，必須是用專門的儀器來檢測。不僅僅要求廠房要達(dá)到要求的潔凈度，對涉及到芯片裸露的工序，工作人員要穿凈化工作服，戴工作帽，戴口罩，工作人員不許涂化妝品等。這些個(gè)嚴(yán)苛生產(chǎn)條件，目前對LED封裝廠來講，不是想不到，就是不愿做。不愿做的原因非常簡單，成本上的增加無法接受——競爭太激烈。封裝廠房達(dá)不到要求的潔凈程度，那么，LED的質(zhì)量問題就來了。
早期的LED芯片以及現(xiàn)在很多廠家的芯片，都沒有在芯片的側(cè)面做保護(hù)層。現(xiàn)在國外一些芯片廠商已經(jīng)開始在芯片的側(cè)面做保護(hù)層了。但是，現(xiàn)在的保護(hù)層一般是采用二氧化硅材料，而且厚度很薄，保護(hù)能力是有限的。在潔凈度很差的封裝廠，仍然會由于沾污造成漏電現(xiàn)象。
1.1 芯片側(cè)面沒有做鈍化
很多芯片由于各種因素，沒有對芯片的側(cè)面做鈍化保護(hù)，使得芯片劃片后，PN結(jié)在側(cè)面裸露于空氣中。如圖1所示。
為什么這樣的狀況就會造成漏電呢?下面就要從微觀結(jié)構(gòu)上來講講了。
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這種表面沾污造成的漏電及短期失效問題，早已被半導(dǎo)體元器件制造行業(yè)認(rèn)識，并通過制作保護(hù)層來加以解決。
1.2 芯片側(cè)面有保護(hù)層
現(xiàn)在有些LED芯片廠在芯片側(cè)面也做上了二氧化硅保護(hù)層。但是，即使是PN結(jié)端面上有二氧化硅保護(hù)層，由于制造方面的原因，在二氧化硅中可能會有可移動的離子存在。在封裝廠的不潔凈環(huán)境中，還會收到沾污。所以，沒有良好的二氧化硅生產(chǎn)工藝，沒有達(dá)到潔凈等級的封裝廠房，LED封裝后出現(xiàn)漏電的幾率仍然是很高的。
二氧化硅層中的可移動離子移動到半導(dǎo)體材料表面，可能使P型材料表面產(chǎn)生耗盡層，嚴(yán)重的發(fā)生反型,從而發(fā)生漏電。
在通常的硅半導(dǎo)體器件制造中，為了解決二氧化硅的問題，一般會在芯片功能制造完畢后，再增加一層鈍化層。現(xiàn)在常用的是氮化硅材料。這樣會大大提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性【5】【6】。這些不是本文討論的內(nèi)容，提及它只是提醒大家，在LED中，雖然有二氧化硅保護(hù)層，但后期不注意保潔，還是會有漏電問題的。
對于二氧化硅中含可移動離子及沾污對漏電的更詳細(xì)的分析，讀者可以參考有關(guān)半導(dǎo)體的資料，如半導(dǎo)體物理、晶體管原理、半導(dǎo)體器件制造工藝等書籍。
1.3 沾污漏電的表現(xiàn)
晶體管的漏電，可能是PN結(jié)制造不良產(chǎn)生，也可能是沾污造成。通常，PN結(jié)不良或受損產(chǎn)生漏電是不可恢復(fù)的，具有正、反向漏電狀況基本相同的特征，而且常表現(xiàn)為完全穿通。沾污造成的漏電，觀察其伏安特性，通常有多種表現(xiàn)，如：正、反向漏電的伏安特性曲線不同;反向擊穿電壓蠕變;正向伏安曲線蠕變;嚴(yán)重的也會表現(xiàn)出正、反向都是穿通的狀況等。沾污漏電還表現(xiàn)出不穩(wěn)定性，某些狀況下，漏電狀況還會暫時(shí)恢復(fù)正常，即暫時(shí)不漏電。
下面通過一些實(shí)例來看看沾污對LED帶來的漏電表現(xiàn)。
實(shí)例一：被反向電壓擊正常的LED
白光LED，測試正向時(shí)，有漏電，見圖7(a)。測反向時(shí)，在反向電壓小于某個(gè)值時(shí)，可以看到有很大的漏電，圖7(b)中的反向電壓為10V。當(dāng)著反向電壓繼續(xù)增大時(shí)，漏電突然消失，呈現(xiàn)不漏電的狀況。圖7(c)中漏電消失時(shí)的發(fā)現(xiàn)電壓約大于10V。此時(shí)再測試正向伏安特性，可以看到，漏電完全消失，LED恢復(fù)正常。見圖7(d)。但是，這種恢復(fù)正常是暫時(shí)的，放置一段時(shí)間后，LED又會出現(xiàn)漏電。測試時(shí)，還會重復(fù)上述過程。
這種反向電壓擊正常的現(xiàn)象，分析為外加電場使得沾污離子的再分布，使其遠(yuǎn)離PN結(jié)端面區(qū)域。因而使得PN結(jié)端面恢復(fù)正常。但是放置一段時(shí)間，由于溫度的變化，或在正向電壓作用下，沾污離子又會遷移到PN結(jié)端面附近，重新造成漏電。
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實(shí)例二、反向電流蠕變，較高反電下漏電消失。
讀者可以先看一下附件1的實(shí)測視頻——反向電壓擊正常的LED。
在此示例中可以看到，在施加反向電壓時(shí)，隨著電壓的升高，反向電流忽大忽小，即發(fā)生蠕變現(xiàn)象。當(dāng)著反向電壓高到某個(gè)值時(shí)，漏電流消失了。再測正向特性，可以看到是正常的，沒有漏電流了。不過，這種恢復(fù)正常也是暫時(shí)的，放置一段時(shí)間后又會恢復(fù)漏電狀況。
實(shí)例三、反向漏電蠕變非常大，正向漏電蠕變，到VF時(shí)不漏電。 讀者可以先看一下附件2的實(shí)測視頻——大漏電會亮的LED。
本例與實(shí)例一不同的是，在較高反壓下也沒能使漏電消失，并且反向漏電非常大。但是在正向時(shí)，漏電并沒有反向的大，在正向?qū)ê螅╇姞顩r反倒消失了。
實(shí)例四、反向漏電不是很大，正向電壓小于VF時(shí)漏電很大，到VF之后漏電變到很小。 讀者可以先看一下附件3的實(shí)測視頻——沾污漏電。
實(shí)例五、正向點(diǎn)亮前漏電非常大，到VF時(shí)基本正常。而反向漏電遠(yuǎn)比正向漏電小。 讀者可以看一下附件4的實(shí)測視頻――LED非擊穿漏電。
實(shí)例六、LED產(chǎn)品嚴(yán)重漏電，類似穿通。解剖出芯片后，芯片正常，沒有漏電。
1.4 沾污漏電的判定
沾污漏電和PN結(jié)或體材料受損漏電的區(qū)分，有些狀況很難直接判定，需要解剖取出芯片來觀察分析。但是，有些現(xiàn)象確實(shí)可以區(qū)分的。比如上面的六個(gè)實(shí)例中都是沾污造成的漏電。
2. 銀膠過高造成漏電
這個(gè)問題在LED封裝業(yè)中已是常識性的、看得見的問題了，無需我多啰嗦了。
3. 打線偏焊造成漏電
這個(gè)問題在LED封裝業(yè)中也是常識性的、看得見的問題了，也無需我多啰嗦了。
4. 應(yīng)力造成漏電
應(yīng)力，往往是看不見的，若對材料的一些基本性質(zhì)不了解，則不太好理解這個(gè)問題。其實(shí)，應(yīng)力相對于日常可見的比如推土機(jī)推土那樣大的力相比，它是很難看得見的作用力而已。它往往是由于材料的熱脹冷縮而產(chǎn)生。應(yīng)力的影響往往是在兩種材料的接觸方面。應(yīng)力作用可以是直接壓力，也可以是與材料接觸面平行的橫向剪切力。舉一個(gè)簡單的例子，在兩根鐵軌之間是有一段間隙的，如果將這個(gè)間隙留的很小，當(dāng)溫度升高時(shí)，兩段鐵軌的端面就會接觸，甚至擠壓變形。這就是應(yīng)力作用。當(dāng)兩種不同的材料粘結(jié)接觸時(shí)，當(dāng)溫度發(fā)生變化，若兩種材料的熱膨脹系數(shù)不同，在接觸面由于延伸或收縮尺度不同，相互間產(chǎn)生拉力，這就是橫向的剪切應(yīng)力。
在LED中，有不同的材料，熱膨脹系數(shù)是不同的。在溫度反復(fù)變化的過程中，各物質(zhì)不可能回復(fù)到它們最初接觸時(shí)的狀態(tài)，相互間會保持有一定的應(yīng)力。但不一定會有害。只有當(dāng)膨脹系數(shù)相差太大、工藝條件不合適時(shí)，就可能留下很大的應(yīng)力。這個(gè)應(yīng)力嚴(yán)重的會壓壞芯片，使芯片破損，造成漏電、部分區(qū)域裂開而不亮，嚴(yán)重的徹底開路不亮。應(yīng)力不是很大時(shí)，有時(shí)也會產(chǎn)生嚴(yán)重的后果。
原本在LED的側(cè)面就存在著懸掛鍵，應(yīng)力的作用，使得表面原子發(fā)生微位移，這些懸掛鍵的電場更加處于一種不平衡狀態(tài)，從而造成端面PN結(jié)處的能級狀態(tài)發(fā)生改變，造成漏電。
5. 使用不當(dāng)造成漏電
這種狀況一般較少發(fā)生。當(dāng)較高的反向電壓加給LED，可能損壞PN結(jié)，造成漏電。
這種損壞，和靜電損壞的機(jī)理是相同的。如果不是當(dāng)事人自己確認(rèn)，封裝廠的工程師單憑損壞的樣品來看，是很難分辨的。
6. 芯片本身漏電
通常，這種情況也是較少發(fā)生。除非芯片的次品出廠。
一般來講，芯片在制造廠是不容易受到沾污的。但是，在芯片的后續(xù)分選、包裝時(shí)，是有可能發(fā)生沾污的。本人看到過某芯片廠的后續(xù)分選、包裝車間環(huán)境就是沒有凈化等級的普通廠房。
7. 工藝不當(dāng)，使得芯片開裂
芯片底部膠體不均勻，或焊盤下面有空洞，打線時(shí)可能損傷芯片產(chǎn)生漏電或失效。 焊線機(jī)調(diào)整不當(dāng)，打傷芯片，產(chǎn)生漏電或失效。
8. 靜電問題
在LED行業(yè)，似乎將靜電當(dāng)成了損壞LED的頭號大敵。但本人卻不這么認(rèn)為。相反，將它當(dāng)成次要問題。
對于靜電對LED的損壞問題，本人在一些論壇里有談過【7】。現(xiàn)在將那些內(nèi)容搬過來，并加以補(bǔ)充，以便大家閱讀與了解。
8.1 靜電的產(chǎn)生機(jī)理
通常，靜電的產(chǎn)生是由于摩擦或感應(yīng)而產(chǎn)生。
摩擦靜電是由于兩個(gè)物體接觸摩擦或分離過程中產(chǎn)生電荷的移動而產(chǎn)生。導(dǎo)體間的摩擦留下的靜電通常比較弱，這是由于導(dǎo)體的導(dǎo)電能力強(qiáng)，摩擦產(chǎn)生的離子會在摩擦過程中及終止時(shí)很快運(yùn)動到一起而中和。而絕緣體摩擦后，可能會產(chǎn)生較高的靜電電壓，但是電荷量卻很小。這是由于絕緣體本身的物理結(jié)構(gòu)決定的。絕緣體的分子結(jié)構(gòu)中，電子很難脫離原子核的束縛自由移動，所以，摩擦結(jié)果也只能產(chǎn)生少量的分子或原子電離。
感應(yīng)靜電是物體處于電場之中，受電磁場的作用，物體中的電子發(fā)生移動而形成電場。感應(yīng)靜電一般只能在導(dǎo)體上產(chǎn)生。空間電磁場對絕緣體的作用可以忽略。
8.2 靜電的放電機(jī)理
220V的市電可以打死人，可人們身上上千伏的電壓卻打不死人，是何道理? 電容兩端的電壓滿足下列公式：
U=Q/C
根據(jù)這個(gè)公式可以知道，當(dāng)電容量很小時(shí)，很少的電荷量，就會產(chǎn)生很高的電壓。
通常我們的身體、身邊的物體，電容都非常小，當(dāng)產(chǎn)生電荷后，很少的電荷量，也會產(chǎn)生很高的電壓。
由于電荷量很少，放電時(shí)，形成的電流非常小，時(shí)間非常短，電壓不能維持，極短的時(shí)間就降下來。由于人體不是絕緣體，所以，身體各處積累的靜電荷，在有放電通路的情況下，都會匯集過來，所以感覺電流大些，有電擊的感覺。人體、金屬物品等導(dǎo)體在產(chǎn)生靜電后，放電電流會比較大。
對于絕緣性能好的材料，一個(gè)是產(chǎn)生的電荷量非常小，另一方面，產(chǎn)生的電荷，很難流動。電壓雖然高，但某處有放電通路時(shí)，只是接觸點(diǎn)及附近極小范圍內(nèi)的電荷可以流動放電，非接觸點(diǎn)的電荷則不能放電(誰叫它是絕緣體呢)。故而，就是有上萬伏的電壓，放電能量也是微乎其微的。如圖8所示。
8.3 靜電對電子元器件的危害
靜電會對LED有危害，并不是LED獨(dú)有的“專利”，就是用硅材料制造的常用的二極管、三極管，也都會受到威脅。甚至建筑、樹木、動物都可能被靜電損害(雷電就是一種靜電，我們這里就不去考慮它了)。
那么，靜電是怎么對電子元件損害的呢?我也不要扯得太遠(yuǎn)，就只講半導(dǎo)體器件的問題，而且就局限于二極管、三極管、IC、LED方面。
電對半導(dǎo)體元器件的損壞，最終是有電流的參與。在電流的作用下，由于熱而損壞器件。要有電流，就要有電壓。但是，半導(dǎo)體二極管有PN結(jié)，無論是正向還是反向，PN結(jié)都會有阻擋電流的一個(gè)電壓范圍。正向勢壘低，反向勢壘則要高很多。在一個(gè)電路中，哪里的電阻大，電壓就在哪里集中。但就來看LED，電壓正向加給LED時(shí)，當(dāng)外電壓小于二極管的閾值電壓(大小與材料禁帶寬度對應(yīng))，沒有正向電流，電壓全部加在PN結(jié)上。電壓反向加給LED時(shí)，當(dāng)外電壓小于LED的反向擊穿電壓時(shí)，電壓也是全部加在PN結(jié)上，此時(shí)，LED的虛焊點(diǎn)也罷，支架也罷、P區(qū)也罷、N區(qū)也罷，統(tǒng)統(tǒng)都沒有電壓降!因?yàn)闆]有電流。當(dāng)著PN結(jié)擊穿后，外電壓才會由電路上的所有電阻分擔(dān)。哪個(gè)地方電阻大，哪個(gè)部分承擔(dān)的電壓就高。就LED而言，自然是PN結(jié)承擔(dān)了大部分電壓。在PN結(jié)上產(chǎn)生的熱功率就是它上面的壓降乘以電流值。若是電流值不加限制，過高的熱量就會將PN結(jié)燒壞，PN結(jié)失去作用而穿通。
IC為什么會比較怕靜電，因?yàn)椋琁C中的每個(gè)元件的面積非常小，每個(gè)元件的寄生電容也就非常小(往往電路功能就要求寄生電容非常小)，所以，少量的靜電電荷就會產(chǎn)生很高的靜電電壓，而且每個(gè)元件的功率耐量通常也很小，所以，靜電放電就很容易損壞IC。但是通常的分立元件，如普通的小功率二極管、小功率三極管都不是非常怕靜電，因?yàn)樗鼈冃酒拿娣e比較大，寄生電容也比較大，一般的靜定不容易在它們上面積累高電壓。小功率的MOS管，由于柵極氧化層很薄，寄生電容小，所以很容易遭靜電損壞，通常會在封裝完成后將三個(gè)電極短路后出廠。使用中也常要求在焊接完成后再去掉短路線。而大功率的MOS管，由于芯片面積大，一般的靜電也不會損壞它們。所以你會看到，現(xiàn)在功率MOS管的三個(gè)電極是沒有短路線保護(hù)的。(早期制造廠還是將它們短路后出廠的)
LED實(shí)際就是有個(gè)二極管，它的面積相對IC內(nèi)的每個(gè)元件來講，是非常大的。所以LED的寄生電容相對來說也是比較大的。所以，一般場合的靜電并不能損壞LED。
一般場合的靜電，尤其是絕緣體上產(chǎn)生的靜電，電壓會很高，但放電電荷量極微，而且放電電流持續(xù)時(shí)間很短。而導(dǎo)體上感應(yīng)的靜電，電壓可能不是很高，但是放電電流卻可能很大，而且往往是持續(xù)的電流。這樣對電子元件的危害就非常大。
8.4 為什么說靜電對LED的損害是不常發(fā)生的呢
先來看一個(gè)試驗(yàn)現(xiàn)象。一塊金屬鐵板上帶有500V的靜電，將LED放到金屬板上(放的方法要注意，避免下述的問題發(fā)生)，大家說LED會被損壞嗎?這里，LED要被損壞，通常應(yīng)該是被加上大于其擊穿電壓的電壓，也就是說LED的兩個(gè)電極要同時(shí)接觸金屬板，并具有大于擊穿電壓的電壓。由于鐵板是良導(dǎo)體，其上各處的感應(yīng)電壓相等，所謂500V的電壓是相對于地而言的，所以，LED兩電極間是沒有電壓的，自然也就不會受到任何損傷了。除非，你將LED的一個(gè)電極接觸鐵板，另一個(gè)電極你用導(dǎo)體(未戴絕緣手套的手或?qū)Ь€)連接到地或其它導(dǎo)體上。
上面的試驗(yàn)現(xiàn)象提示我們，LED在靜電場中時(shí)，必須是一個(gè)電極接觸靜電體，另一個(gè)電極要接觸地或其它導(dǎo)體才可能受損。在實(shí)際生產(chǎn)和應(yīng)用中，以LED那么小的體積，很少有機(jī)會發(fā)生那樣的事情，尤其是批量發(fā)生那樣的事情。偶然的事件是可能的。比如，LED處于靜電體上，且一個(gè)電極接觸到靜電體，另一個(gè)電極剛好是懸空的，此時(shí)有人去觸及了懸空的那個(gè)電極，就可能損傷LED。
上面的現(xiàn)象告訴我們，靜電問題也不是可以忽視的。 靜電放電是要有導(dǎo)電回路的，不是有靜電就有損害。
上面的現(xiàn)象還提示我們，當(dāng)著僅有極少量的漏電問題發(fā)生，可以考慮靜電偶然損壞問題。若是大量發(fā)生，則更多的可能是芯片沾污或應(yīng)力的問題。
9. 其它原因引起漏電
本人曾遇到過這樣的漏電狀況，LED被封裝與一個(gè)殼體中，LED周圍灌有軟膠以防水。可是從LED的引線上測到有嚴(yán)重的漏電。將周圍的灌封膠去除后，漏電消失。這里其實(shí)并不是LED漏電，而是灌封膠有問題。
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