- 容易提高開(kāi)關(guān)頻率
- 開(kāi)關(guān)損失最大可削減50％
- 削減電源裝置整體體積和重量
- 太陽(yáng)能發(fā)電用逆變器等
美國(guó)科銳（Cree）宣布，已經(jīng)投產(chǎn)了采用SiC（碳化硅）材料的+1200V耐壓功率MOSFET“CMF20120D”。科銳是繼2010年12月的羅姆之后第二家宣布投產(chǎn)SiC功率MOSFET的企業(yè)。不過(guò)，科銳在發(fā)布資料中稱自己“是業(yè)界第一個(gè)投產(chǎn)的”。目標(biāo)用途包括，太陽(yáng)能發(fā)電用逆變器裝置、高電壓輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器裝置以及馬達(dá)驅(qū)動(dòng)用逆變器裝置等。
漏極電流方面，連續(xù)通電時(shí)最大為33A（25℃工作時(shí)），脈沖通電時(shí)最大為78A（25℃工作時(shí)）。導(dǎo)通電阻在柵源間電壓為+20V、周圍溫度為25℃時(shí)只有80mΩ（標(biāo)準(zhǔn)值）。另外，即使周圍溫度上升至+125℃，導(dǎo)通電阻也只有95mΩ（標(biāo)準(zhǔn)值），溫度上升對(duì)導(dǎo)通電阻增加的影響非常小。總柵極電荷僅90.8nC（標(biāo)準(zhǔn)值）。因此，容易提高開(kāi)關(guān)頻率。封裝采用TO-247-3。
科銳表示，如果使用SiC功率MOSFET，與使用Si功率MOSFET的電源裝置相比，開(kāi)關(guān)損失最大可削減50％。另外，與采用Si材料IGBT的電源裝置相比，可將裝置整體的轉(zhuǎn)換效率最大改善2％，而且能將開(kāi)關(guān)頻率提高至2～3。如果提高開(kāi)關(guān)頻率，能夠縮小外置部件，因此可削減電源裝置整體的體積和重量。
德國(guó)研究機(jī)構(gòu)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）在試制采用投產(chǎn)的SiC功率MOSFET的7kW輸出太陽(yáng)能發(fā)電用逆變器裝置時(shí)，獲得了最高97.81％的轉(zhuǎn)換效率。采用+1200V耐壓IGBT構(gòu)成相同輸出的逆變器裝置時(shí)，最大轉(zhuǎn)換效率為95.89％。通過(guò)采用SiC功率MOSFET，將轉(zhuǎn)換效率提高了1.92個(gè)百分點(diǎn)。
