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意法半導體生物感測創新技術賦能下一代智能穿戴個人醫療健身設備
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了一款新的面向智能手表、運動手環、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫療設備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導體的經過市場檢驗的慣性傳...
2024-11-08
意法半導體 生物感測 穿戴設備 醫療健身設備
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全差分放大器為精密數據采集信號鏈提供高壓低噪聲信號
全差分放大器(FDA)具有差分輸入和差分輸出，其輸出共模由直流(DC)輸入電壓獨立控制，主要用在數據采集系統中模數轉換的前端，用于將信號調理為合適的電平以供下一級（通常是模數轉換器(ADC)）使用。FDA一般采用單芯片設計，電源電壓較小，因此輸出動態范圍有限。本文將介紹具有可調共模輸出的高壓低...
2024-11-05
全差分放大器 數據采集 信號鏈 低噪聲信號
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利用單片機實現復雜的分立邏輯
開發人員可利用PIC16F13145系列單片機中的可配置邏輯模塊（CLB）外設實現硬件中復雜的分立邏輯功能，從而精簡物料清單（BOM）并開發定制專用邏輯。
2024-11-05
單片機 分立邏輯
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為惡劣工業環境中的以太網安裝保駕護航
如今，“工業以太網”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認為它一定與消費和計算設備中使用的以太網有所不同。本博文旨在回顧這種網絡技術的演變，并解釋消費以太網和工業以太網的區別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護以太網網絡免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無...
2024-11-04
以太網 工業環境
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第8講：SiC外延生長技術
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產過程及注意事項。
2024-11-04
SiC 外延生長技術
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二極管的單向導電性和伏安特性曲線說明
二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當你從室外推門(門是室內開的)時，如果力很小，門是推不開的，只有力氣較大時，門才能被推開，這與二極管加正向電壓,只有達到門電壓才能導通相似;當你從室內往外推門時，是很難推開的，但如果推門的力氣非常大，門也會被推開，不過門被開的同時一般也就損壞...
2024-11-04
二極管 向導電性 伏安特性
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如何使用GaNFET設計四開關降壓－升壓DC－DC轉換器？
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-04
GaNFET DC－DC轉換器 降壓 升壓
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匯聚智造大咖，共探智能工業未來 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點全揭秘！
倒計時兩天！備受矚目的AMTS & AHTE South China 2024即將于2024年11月6日在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕！為期三天，六展聯袂，3,500+展商，140,000㎡面積，15萬+觀眾，邀您一同解鎖這場華南地區汽車技術、工程及工業裝配行業盛宴！
2024-11-01
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遠山半導體發布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-11-01
氮化鎵功率器件
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