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愛普科斯(EPCOS)輸出端過壓保護參考設計
雷擊產生的浪涌電壓會對電子設備帶來危害，EPCOS輸出端過壓保護參考設計ProShot 6000可保護家電免受電壓浪涌致命影響。
2009-03-13
雷擊 EPCOS 浪涌 電路保護 ProShot 6000 壓敏電阻 氣體放電管
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愛普科斯(EPCOS)輸出端過壓保護參考設計
雷擊產生的浪涌電壓會對電子設備帶來危害，EPCOS輸出端過壓保護參考設計ProShot 6000可保護家電免受電壓浪涌致命影響。
2009-03-13
雷擊 EPCOS 浪涌 電路保護 ProShot 6000 壓敏電阻 氣體放電管
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中國電子展推出三大技術采購研討會
中國電子展推出三大技術采購研討會
2009-03-12
中國電子展推出三大技術采購研討會
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中國電子展深圳舉行 三大技術采購研討會
中國電子展深圳舉行 三大技術采購研討會
2009-03-12
中國電子展深圳舉行 三大技術采購研討會
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中國電子展深圳舉行 三大技術采購研討會
中國電子展深圳舉行 三大技術采購研討會
2009-03-12
中國電子展深圳舉行 三大技術采購研討會
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飛利浦MASTER LED憑出色設計和耐用性再獲兩大獎
近日，飛利浦MASTER LED獲得法國設計研究中心（Institute Francais du Design）及巴黎國際酒店及餐飲設備展（Equip''''''''Hotel Paris）榮譽。
2009-03-12
MASTER LED LED 飛利浦 照明
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USB 3.0測試標準將于09年6月底出臺
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標準有望于2009年上半年出臺。參與測試標準制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應用產品經理Jim Choate在09年3月6日于東京都內舉行的研討會“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測試儀器
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業內最低的導通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導通電阻 開關
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中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關于報廢電子電器設備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護措施，而金融危機的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產者采取了優惠的政策，但保留了“生產者負責制”。該法規有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國版WEEE WEEE 關于報廢電子電器設備指令 廢棄電器電子產品回收處理管理條例
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